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東北大、電極に有機物利用した酸化物半導体のFET作製（2010/1/20）

酸化物と有機物という異なる物質の界面(接点)が、FETの動作に寄与することを初めて示した。... FETの性能指標となる移動度は、導電性高分子を使わない場合と同等の高速性を確保した。こ...

サンケン電気、450ボルト対応のLED照明向け駆動用ICを開発（2010/1/20）

同社の従来機種では外付けしていた金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOS―FET)を内蔵。

新電元、車載トランジスタに参入−高性能の新製品開発（2010/1/15）

新電元工業は4月に車載MOS―FET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)に参入する。... 新電元が開発したのは20―100ボルトに対応する低耐圧パワーMOS―FET。

東芝、スピンMOSトランジスタの基本技術を開発（2009/12/9）

開発したのは、一般的なMOS電界効果トランジスタ(FET)にスピン機能を担う磁性層をつくり、そこにゲート電圧をかけて、ソースとドレイン間に電流を流す。

この成果は、低コストで小型・軽量化などを目的とした有機薄膜太陽電池や電界効果トランジスタ(FET)などの材料開発に期待される。

セリート、CMOSトランジスタの低コスト製造技術を開発（2009/10/6）

半導体先端テクノロジーズ(セリート、茨城県つくば市、渡辺久恒社長、029・849・1300)は、金属のゲート素材と高誘電率膜を用いた相補型金属酸化膜半導体(CMOS)電...

京大、フラーレン化合物の新手法開発（2009/8/21）

太陽電池や電界効果トランジスタ(FET)など半導体材料への応用が期待できる。

この光トランジスタは検出感度が従来の約100倍で、増幅率も数千倍の性能を持つ電界効果トランジスタ(FET)。

電界効果トランジスタ(FET)や熱電材料など、新たな電子機能を持つ分子性デバイス開発につなげる。

電中研と阪大、イオン液体使った高性能FETを開発（2009/1/8）

電力中央研究所は大阪大学と共同で、リチウム二次電池などに使うイオン液体を活用し、高性能の電界効果トランジスタ(FET)を開発した。... 開発したのは単結晶の有機材料を使ったFETで、...

サンケン電、窒化ガリウムでパワーデバイス−商品化急ぐ（2009/1/6）

同社は電界効果トランジスタ(FET)、ショットキーバリアダイオード(SBD)を試作、2012年の商品化を目指している。... GaNでは難しいノーマリオフ型FETの試作...

パイオニア、鹿児島工場の譲渡が交渉難航で遅れ（2008/11/6）

パイオニアがエフ・イー・テクノロジーズ(FET、東京都品川区)にプラズマパネル工場(鹿児島県出水市)を譲渡する時期が09年3月末より遅れる見通しとなることが5日わかった...

ミツミ電、充電用FET内蔵したリチウム電池充電制御ICを量産（2008/9/30）

ミツミ電機は充電用の電界効果トランジスタ(FET)を内蔵したリチウムイオン電池充電制御IC「MM3324」を09年1月から量産する。... 充電用のFET、電流を検出する抵抗を内蔵して...

サンケン電気、窒化ガリウムFETなどシリコン基板に形成（2008/9/4）

サンケン電気は3日、窒化ガリウム結晶をシリコン基板上に成長させる技術などを使い、大幅な低損失化や高耐圧化を実現した電界効果トランジスタ(FET、写真左)とショットキーバリアダイオード&...

エフ・イー・テクノ、来年末にFEDパネル量産（2008/9/2）

FEDの事業化を目的にソニーから独立したエフ・イー・テクノロジーズ(FET、東京都品川区)が09年末にパネルの量産に乗り出す。

微細化の先に(3)エルピーダメモリ取締役・安達隆郎氏（2008/6/5）

だが、今までのように微細化一辺倒ではなく、電荷保持を担うキャパシターとスイッチ用の電界効果トランジスタ(FET)から構成する『記憶セル』を小さくする試みも出始めている。

大阪工大、酸化亜鉛トランジスタ用いたバイオセンサー開発（2008/1/8）

バイオセンサーはサファイア基板上に酸化亜鉛・酸化マグネシウム亜鉛を作製し、電界効果トランジスタ(FET)を作製した。