【京都】ロームは車載向けとしては業界最小となる金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)「AG009DGQ3=写真」を開発、量産を始めた。

小・中容量のIGBT(絶縁ゲート型バイポーラートランジスタ)やMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)をマイコンから直接駆動できる。

金沢大学理工研究域電子情報学系の松本翼助教、徳田規夫准教授らの研究グループは、産業技術総合研究所、デンソーなどと共同で、ダイヤモンド半導体を使った、反転層チャネル金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ&...

GaNで耐圧1・2キロボルト級の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)チップを作製した。... これまではGaN製MOSFETの素子で動作を実証していた。 ...

高耐圧のシリコンMOSFETの使用が一般的だが、SiC―MOSFETに代替することにより、オン抵抗を8分の1の1・15オームまで低減できる。 MOSFETの駆動には、外付けの制御IC...

富士電機は29日、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)パワー半導体で、省エネ性能を高めた新製品2種類を発売したと発表した。

【トレンチ構造採用 SiC―MOSFET】 ロームは2015年6月、炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)と...

【ローム/トレンチ構造採用 SiC―MOSFET】 ■オン抵抗低減で消費電力大幅減■ トレンチ(溝)構造を採用した、炭化ケイ素&#...

金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)とゲートドライバー、制御ICをワンパッケージ化した。MOSFETには、低オン抵抗で高耐圧を実現した独自構造「プレストモス」を採用した...

ネツレンは炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を使用した高周波誘導加熱電源(写真)を開発した。

この光を光電素子で受け所定電圧まで高めて、出力側のスイッチング素子の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を導通する。

新機種は金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)のオン抵抗のように、大きな電圧波形の中の小さな変化を測定するのに適している。

SiCのMOSFETはプレーナー(平面)構造しか量産されておらず、トレンチ構造は業界初。... 同社は2010年にプレーナー構造で、SiCのMOSFETを業界で初めて量産。現在は2世代...

金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)とゲートドライバーによるモジュール「BM65364S―VA/VC=写真」で定格電流15アンぺア、耐圧600ボルト。...

同ICの投入で、SiC・MOSFETの電源での採用を加速したい考え。 同社では産業用に交流400ボルト前後の電圧を使う欧州など向けで、SiC・MOSFETの高耐圧という特性が生かせる...

駆動には、電界効果トランジスタの一種であるMOSFETを4個使って1チャンネルのHブリッジ回路を作り、一つの機構ごとに1チャンネルのICを搭載しなければならなかった。NJW4814はMOSFETを8個...

トランジスタに深い溝を掘るディープトレンチ型で高効率を実現した金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の製品ラインアップがそろいつつあり、「13年後半から販売が伸びてきた」...

15年度も第7世代IGBTや金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の新製品を積極投入する計画。

さらに同じ年にMOSFETの量産も始め、今ではSiC半導体の外販メーカーとしては大手の一角を占めている。MOSFETでは、さらにオン抵抗を低減できるトレンチ型の量産も15年前半には業界の先頭を切って始...

薄膜BOX構造の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(SOTB―MOSFET)は、集積回路の動作電圧を低減して消費電力を下げるトランジスタ構造。... 広島大は産総研と共同で、SOTB...