記事検索結果

安川電機、SiCモジュール搭載のEV用モータードライブ開発（2011/1/19）

【北九州】安川電機は18日、炭化ケイ素(SiC)パワーモジュールを搭載した電気自動車(EV)用モータードライブ「SiC―QMET」を開発したと発表した。... モーター...

スミックス、結晶欠陥を15秒で検出するウエハー検査装置開発（2010/12/8）

【厚木】スミックス(相模原市中央区、宇田満社長、042・713・3733)は炭化ケイ素(SiC)ウエハー検査装置「ARCscan(アークスキャン)MEタ...

SiC半導体はまだSiCウエハーの価格が高いためコスト高になるのに比べ、GaNは低コストを実現する。 ... 実際、GaNパワーデバイスの実用化については、「SiCダイオード、SiCトランジス...

MTK、中国製SiCウエハーの取り扱い拡大（2010/7/13）

まず月内に直径4インチの炭化ケイ素(SiC)ウエハーの取り扱いを始める。... 月内に始めるSiCウエハーの価格は1枚6万―9万円。... 現在はタンケブルーの2インチ、3インチのSi...

三菱電、福岡でSiC製次世代半導体を量産（2010/7/9）

SiCウエハーは試作段階で数社から購入しているが、量産でも複数社から調達する見通しだ。三菱はSiC半導体を量産する工場を公表していなかった。... SiC半導体は既存のシリコン製に比べ高耐圧で、電力損...

ものづくり開発補助金−追加公募採択/全国中央会(2) （2010/6/25）

■中部■■■■■■ 【静岡県】▽ワーク内面拘束による溶接加工品高精度化治工具の商品化〈量産設計・試作評価・販路開拓〉(フジマシン)▽粗いメッシュロール〈高容積塗布ロー...

スマートグリッド/SiC事業化相次ぐ−シリコンの代替素材に（2010/6/1）

【POINT】 1パワーデバイスに不可欠な材料 2国内勢もウエハー供給開始 3MOSFET・IGBTへの適用がカギ電力制御用半導体(パワー半導体)の次...

産業がわかる/次世代パワー半導体−SiCは実用段階に（2010/1/19）

【POINT】 1.省エネ機運で開発加速 2.10年度から量産相次ぐ 3.ウエハー供給元も増加市場規模2兆円以上と言われるパワー半導...

三菱電、炭化ケイ素パワー半導体に135億円を投資（2010/1/13）

電力損失の少ないSiCはシリコンに代わるパワー半導体材料として有力。... 【用語】SiCパワー半導体=SiCはシリコンと比べて絶縁破壊に至る電界強度が約10倍、熱伝導率が2―3倍。... S...

【川越】秩父電子(埼玉県秩父市、強谷隆彦社長、0494・22・5955)は、2月末をめどに炭化ケイ素(SiC)ウエハーの平たん度を高める研磨技術を確立し、4月にも同ウエ...

レーザーテック、SiCウエハー向け欠陥検査装置発売（2009/12/7）

【横浜】レーザーテックは炭化ケイ素(SiC)ウエハー向けの欠陥検査装置「WASAVIシリーズ SICA61=写真」を発売した。... これにより、コントラストの高い明瞭...

半導体製造装置大手、相次ぎ成長分野参入（2009/12/2）

SiCウエハー上に結晶膜を堆積(たいせき)成長させる化学気相成長(CVD)装置。... アドバンテストはテスター、ウエハー搬送、プローブカードを一体化したNANDフラッ...

エイディーディー、窒素ガス循環式チラーに参入（2009/10/30）

窒素ガス循環式チラーを半導体ウエハーや電子部品などの冷却用に販売し、初年度6000万円の売り上げを目指す。 ... 炭化ケイ素(SiC)ウエハーの製造工程では、温度特性評価を行...

グリーンデバイス最前線/第1部・エコカー協奏と競争(2) （2009/10/21）

【電界強度は10倍】中でも自動車メーカーが期待を寄せるのがSiCと呼ばれるシリコンに代わる新素材。... SiCパワー半導体モジュールで世界初投入を目指すのがローム。... シリコンウエハー...

日本インター、SiC―SBDを本格生産−比子会社のライン稼働（2009/4/16）

【厚木】日本インターは次世代半導体材料の炭化ケイ素(SiC)を利用したショットキーバリアーダイオード(SiC―SBD)の本格生産に乗り出す。... SiCウエハーは、日...

炭素材料「グラフェン」研究、世界で大ブーム（2008/12/1）

SiC基板を加熱してエピタキシャル成長したグラフェンはデバイス集積に適する。... 【応用研究にも力】 SiCウエハーは高価で、現状は1センチメートル角の基板に直径約8ミリメートルのグラフェン...