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記事検索結果
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また、次世代メモリーの磁気抵抗型メモリー(MRAM)にもターゲット材が使われる。日鉱金属はMRAM向けターゲット材について「半導体だけでなく磁性材の知識やノウハウが必要。... ターゲ...
NECとNECエレクトロニクスは、磁性体に対して垂直な磁力を持つ垂直磁化を使う新しい書き込み方式で、システムLSIの組み込みに適した高速な不揮発性磁気メモリー(MRAM)を開発した。....
素子の絶縁膜特性を評 価して成膜技術に生かし、実用上必要な10年の寿命を保証する次世代MRAMの開発につなげる。... 開発技術は次世代「スピン注入磁化反転型」MRAM向けの技術。... MR...
記憶素子に磁性体を用いるMRAMは、半導体メーカー各社が次世代メモリーの一つとして有力視している。 ... ルネサスは既に同130ナノメートルプロセスを採用したMRAMのサンプル出荷を開始した...
世界最大容量で最速のMRAMで、チップ面積を従来と同等に小型化した。... MRAMは高速で、電源を切ってもデータを保持する不揮発性、書き換え耐性が無限などの特徴を併せ持つ。メモリー部が全MRAMのL...
また次世代メモリーとされる磁気抵抗メモリー(MRAM)や大容量ハードディスクのヘッドを高磁場下で製造する技術への応用、汚染物質を磁気で分離する磁気分離マグネットなどさまざまな用途開発を...
富士通研究所(川崎市中原区、村野和雄社長、044・754・2613)は、次世代の「スピン注入磁化反転」方式を使った不揮発性磁気メモリー(MRAM)実現に向けた新技術を開...
NECは世界最速の500メガヘルツ(メガは100万)で動作する次世代の「不揮発性磁気メモリー(MRAM=用語参照)」を開発した。... 加えて今回の超高速メモリ...
ルネサスでは既に回路線幅130ナノメートルプロセスを採用したMRAMのサンプル出荷を開始。... サンプル出荷を始めるMRAMは「電流磁場データ書き込み方式」技術を採用したもの。... 東芝はNAND...
東芝はSiC素子のほか、立体構造トランジスタのひずみ印加技術、大容量の磁気抵抗ランダムアクセスメモリー(MRAM)技術などを展示した。
読み出し/書き換え時間は10ナノ秒(ナノは10億分の1)で、高速動作が得意の磁気抵抗ランダムアクセスメモリー(MRAM)と同水準という。
(安久井建市) NECグループは、NEC中央研究所とNECエレクトロニクスが共同でMRAMの実用化に向けた研究開発を進める。... このため、次世代メモリーとしてMRAMの研究...
また、すべてのマイコンにフラッシュメモリーを搭載しているが、今後、回路微細化を一段と進めて、高度な処理を行う際にはフラッシュメモリーの代わりに、磁気抵抗を用いたMRAMや相変化膜を用いたPRAMなどの...
「次世代メモリーとして磁気抵抗を用いた『MRAM』の研究開発に力を入れているほか、通信用LSIやスパコン用LSIなどがある。... 「NECグループではMRAMに力を入れている。... 相変化膜を用い...
技術提携先のキマンダは相変化膜を用いた『PRAM』や磁気抵抗を用いた『MRAM』の技術を持っており、研究開発コストを分担していきたい」 ―UMCとの共同開発の進ちょく状況は。
MRAMの製造工程で磁場を発生する際に使うもので、直径300ミリメートルのウエハーに対応している。... MRAMは半導体メーカーが試作開発を進めている段階にある。信越化学ではMRAMの本格的な立ち上...
