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年内には高電圧・大電流を制御できるIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)と呼ぶ製品の量産も開始。

年内には高電圧・大電流を制御できる「絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)」と呼ぶ製品の量産も開始。

だが、汎用インバーターなどで一般的なIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)などの高機能パワーデバイスは、電気自動車(EV)や風力発電、鉄道など各種産業分野に応用さ...

だが、汎用インバーターなどで一般的なIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)などの高機能パワーデバイスは、次世代自動車や発電、鉄道など産業分野への利用が進む。

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)が自動車向けで新規採用されるなど、今後の事業拡大が期待できる。

独自構造のIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)の搭載や、冷却フィン一体の直接水冷構造の採用により、インバーターを低消費電力化できるようにした。

その後、汎用インバーター分野では一般的なIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)モジュールを投入。

インバーターなどに組み込む絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)の後工程の生産を始めた。... マレーシアでは産業向けIGBTの前工程と後工程を一貫して行っているが、14年度中に...

第6世代の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)機能を搭載しており、エアコン駆動時などでの消費電力を抑えた。

また、15年4月にはパワー半導体(IGBT)に使用されるセラミックス絶縁回路基板(DBC)の月産10万枚体制を整える。

半導体カーブトレーサーの主要測定対象のIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)は日本企業が世界をリードし、米国と欧州にも大手企業がある。

ロームのパワー半導体事業はこれまで、炭化ケイ素(SiC)パワー半導体、IGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)、インテリジェントパワーモジュール(IPM&...

IGBTに代表されるパワー半導体で、セラミックス基板上に銅回路板を直接接合したDBC基板に活用した場合、コストを約3割低減。

パワー半導体は炭化ケイ素(SiC)、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)、インテリジェント・パワー・モジュール(IPM)を持ち、これらを一体提...

矢野経済研究所によると耐圧600ボルト以上の用途で使われるIGBT分野でのシェアは60%に達する。

提案するのは絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)、電界効果トランジスタ(MOS―FET)の半導体インバーター式電源装置。... 富士電子の装置は入力電力に対する...

IGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)の並列動作に対応し、産業用インバーターなどに搭載して高電圧・大電流を制御する。... 開発したIGBTゲートドライバーボードは、1200―...

最新のIGBT(電力スイッチング半導体)モジュールを採用し、電力変換効率は従来機の97・7%から98・4%に向上した。

技術力のある高耐圧IGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)など限られた領域でなら勝負できる。... 高耐圧IGBTは、省エネニーズの高い鉄道車両向けで海外顧客を開拓する。... ...

パワー半導体はダイオードにシリコン、IGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)にSiCを使った「ハイブリッド型」。

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