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記事検索結果
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また、ロームはSiC採用の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)で、素子の縦方向にゲートを構成する「トレンチ型」の製品の量産を15年前半に始める。
同社は世界で初めてSiCでMOSFETの量産を始めた。... 3世代目にあたるMOSFETはこのオン抵抗を、さらに数分の1に低減できるトレンチ型を採用。... トレンチ型MOSFETは、素子に縦方向の...
産業技術総合研究所は、次世代の省電力デバイスとして有望なトンネルトランジスタ(トンネルFET)が、従来の電界効果トランジスタ(MOSFET)に比べて10万倍以上長寿命で...
現状、同ラインでは一部の白物家電向けと産業機器向けのパワーMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)を生産している。
充放電の制御には、外部から一定の電圧がかかると、スイッチをオンにするNチャンネル型の金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)を採用。
京都大学大学院工学研究科の白石誠司教授、安藤裕一郎助教らの研究グループは8日、TDK、秋田県産業技術センター(秋田市)と共同でシリコンを用いたスピントランジスタ(MOSFET&...
双方のMOSFETにおけるドレイン電流のオンオフ比は3ケタ以上と高く、消費電力も低減した。各MOSFETに形成したバックゲート電圧を変化させることで、しきい値電圧も制御できる。
従来のシリコントンネルFETは、現在のLSIに使われているMOSFETに比べて、100分の1―1000分の1程度の駆動電流しか得られていなかった。
45ボルト耐圧で1・75アンぺアのパワー金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)、位相補償回路を内蔵しており、外付け部品を7点に抑えた。
同パッケージ技術は、高速スイッチングを特徴とする金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)にも応用。
インバーター回路のスイッチング素子などには、SiC金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)を採用した。
アナログ・デジタル信号処理とパワー制御を1チップに形成する「BiC−DMOS」プロセスを採用し、金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)のオン抵抗を低減することでICの発熱を抑え...
これを機に、応用先を照明などの家電製品から、金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)や車載用電子部品の基板といった産業用途に広げる。
完成した「BD9428=写真」は、LEDの駆動を制御する金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)の耐圧を80ボルト(従来は60ボルト)、最大電流を250ミ...
SJ―MOSFET(スーパージャンクション金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)を搭載し、低電流域のオン電圧を自社の従来製品比で66%低減しており、エアコンのエネルギー消費効率...
通電時の電気抵抗(オン抵抗)が低いスーパージャンクション金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(SJ―MOSFET)採用。... 今回搭載したSJ―MOSFETは650ボ...
現行の電界効果トランジスタ(MOSFET)の限界を超える低電圧でオン・オフの切り替えができるため、低消費電力化につながると期待されている。しかし、MOSFETに比べて流れる電流が小さい...
