炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などのパワー半導体のほか、パッケージやモジュールの開発などに取り組む。

日本ガイシは今回、ハニセラムの材料に炭化ケイ素(SiC)を使ったEHCを開発。

同社は2024年からローム製SiC半導体を使ったインバーターを電気自動車(EV)向けに量産する。... ロームとヴィテスコは20年からSiCを使ったインバーター開発で協業しており、すで...

この基盤となるSiCの高品質な結晶の製造方法を確立したのが松波特任教授だ。... シリコンの上にSiCを作る方法、SiCがパワー半導体と結びつく技術を約20年かけて構築し、日本の半導体企業も注目した。...

次世代パワー半導体とされる炭化ケイ素(SiC)半導体は、従来の半導体よりも高温になる性質があるため、電動車向けを中心に商機を狙う構えだ。

三菱電機は13日、パッケージ内部でのインダクタンス(磁束変化に対する抵抗)を従来比で約47%低減した「産業用フル炭化ケイ素(SiC)パワー半...

愛三工業によるアンモニアを使った燃料電池の発電システムのほか、ジェイテクトグラインディングツール(愛知県岡崎市)による炭化ケイ素(SiC)ウエハーの切削加工、テラ・ラボ...

また第1弾ではパワーデバイスに炭化ケイ素(SiC)を搭載するが、第2弾ではDC―DCコンバーターやOBCのパワーデバイスを高周波動作が得意な窒化ガリウム(GaN)に置き...

京都大学大学院総合生存学館SIC有人宇宙学研究センターは31日、木造小型人工衛星の開発を目的としたクラウドファンディング(CF)で目標とする650万円の調達に成功し...

(木曜日に掲載) ◇量子科学技術研究開発機構(QST)高崎量子応用研究...

富士電機は30日、炭化ケイ素(SiC)を使う次世代パワー半導体の生産能力を2026年度に22年度比で50倍に引き上げると明らかにした。... 宝泉徹執行役員専務(半導体事業本部...

炭化ケイ素(SiC)インゴットからウエハーを切り出す「KABRA(カブラ)」の技術や装置もIBで開発された。

三菱電機が炭化ケイ素(SiC)のパワー半導体の開発・生産に力を入れている。... このほど米国企業と8インチのSiC基板を共同開発することを表明した。... コヒレントはSiC材料を長...

具体的にはモーター制御で従来の抵抗制御方式と比べ消費電力を75%削減できる炭化ケイ素(SiC)系のパワー半導体を使用したVVVFインバーターの採用強化だ。

(敬称略) 【論文賞】▽「Sicの精密レーザスライシング第2報:走査方向とへき開進展・連結の関係性」山田洋平(埼玉大学大学院)、池田...

炭化ケイ素(SiC)の塊(インゴット)からウエハーを切り出す「KABRA(カブラ)」という工程を備えた2017年発売の装置だ。... 従来は複数のワイヤ...

省エネ性能が高い炭化ケイ素(SiC)を使った次世代パワー半導体基板(ウエハー)の加工が容易なグラインダー、切断後のチップの厚みや裏面の状態を全自動で検査する装置―。.....

ルネサスエレクトロニクスは、2025年に高崎工場(群馬県高崎市)で炭化ケイ素(SiC)を使うパワー半導体の生産ラインを立ち上げ、量産を始める。電気自...

また、炭化ケイ素(SiC)デバイスと走行風冷却システムを組み合わせた駆動システムを採用することにより、機器の小型化と消費電力の削減が期待できる。

SiCウエハー製造では、昇華法が主流となっている。昇華法とは、不活性ガスを充填させた炉内でSiC原料を高温で昇華させ、上部のSiC種結晶に成長させる方法である。... SiCウエハーの製造工程で、結晶...