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記事検索結果
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シリコンだけでなく、小型基板が主流となっている炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などの化合物半導体ウエハーにも対応できる。
既存の回転工具による加工が難しいサブミクロンオーダーや、炭化ケイ素(SiC)、窒化ガリウム(GaN)などの脆性材の加工に対応する。
サムコは窒化ガリウム(GaN)などの化合物半導体デバイスの中規模量産に対応した化学気相成長(CVD)装置やドライエッチング装置の提案を始めた。... GaN、炭化ケイ素...
【名古屋】名古屋大学未来材料・システム研究所の天野浩教授らは23日、電極幅1ミリメートル換算の容量が3・5ワットと従来比3倍のワイヤレス電力伝送(WPT)用の窒化ガリウム(Ga...
住友電気工業は5G対応携帯基地局向けの窒化ガリウム(GaN)デバイスをファーウェイなど、複数の通信機器メーカーに供給しているもよう。
また新エネルギー部門では、6インチサイズの窒化ガリウム(GaN)単結晶基板の量産販売を1年前倒し、23年度に始める。
三菱ケミカルは、2023年度にも、6インチサイズの窒化ガリウム(GaN)単結晶基板の量産販売を始める。... GaNは、電力制御を行うパワートランジスタの半導体材料として注目されている...
シャープは半導体の微細加工技術などを応用し、マイクロメートルサイズ(マイクロは100万分の1)の窒化ガリウム(GaN)製青色発光ダイオード(LED)素子...
中でも従来のシリコンウエハーを使用したパワー半導体に加えて炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)といった材料を使用したパワー半導体が注目を集めている。 &...
「炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)のウエハーや、シリコンでも中央部がすごく薄くなったTAIKOウエハー、ポテトチップスのように反り返ったものをフレームに貼っ...
窒化ガリウム(GaN)パワー半導体は、サーバー電源などの情報通信機器分野向けが市場の82.2%を占めている。... 30年のGaNパワー半導体の市場は19年比12...
すでにワイドギャップ半導体として実用化が始まっている炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)に比べてもバンドギャップが広く、究極のワイドギャップ半導体とも呼ばれてい...
三菱電機は第5世代通信(5G)基地局用窒化ガリウム(GaN)増幅器モジュールの小型化・高効率化技術を開発したと14日に発表した。
この装置を使い、物質・材料研究機構(NIMS)・東北大学・住友電気工業のチームは、高速通信用パワーデバイスとして期待されるGaN―HEMT素子において、出力が低下する原因と考えられてい...
900度Cにも耐える高耐熱性や高耐久性を持つため、炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などのパワー半導体向けにも利用できる。
住友電気工業は10月にも、高速・大容量、低遅延の第5世代通信(5G)を進化させた携帯電話通信網「5G+」向けに、窒化ガリウム(GaN)デバイスの次世代品を投入す...
住友電気工業は2021年、米国で第5世代通信(5G)向け窒化ガリウム(GaN)デバイスの生産を始める。同社がGaNデバイスを海外生産するのは初めて。... 住友電工は携...
エア・ウォーターは14日、独自の炭化ケイ素(SiC)基板に窒化ガリウム(GaN)を成膜した次世代パワートランジスタ用基板を開発したと発表した。... 今回、同基板に省エ...
