先進パワーエレクトロニクス研究センターの福田憲司総括研究主幹、米澤喜幸超高耐圧デバイスチーム長らは、SiC半導体を使って独自構造の絶縁ゲートバイポーラ・トランジスタ(IGBT)を開発し...

今後、事業面では自動車、産業向けIGBT(電力スイッチング半導体)に力を入れる。このほど国内大手自動車メーカーのプラグインハイブリッド車向けにIGBTモジュールが初めて採用された。

なかでも絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)モジュールが主力製品だ。

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)機能を搭載しており、エアコン起動時など高電流域での消費電力も低減した。

バイポーラ・トランジスタに比べ、使用素子を減らせるため故障しにくい絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ(IGBT)を採用した。

「省エネ半導体」の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)を搭載し、電力損失を低減でき、総合効率で最大97%を実現した。

独自開発した最先端の第7世代絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)を初めて搭載し、白物家電向けでは業界トップクラスの低消費電力を実現した。 ... 第7世代IG...

現在の生産体制は日立の臨海工場(茨城県日立市)で高圧IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)を、原町電子の原町工場(福島県南相馬市)でトランジスタ関...

開発したのはシリコン―IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)モジュールで、架線から供給される直流電圧をモーター駆動用の交流電圧に変換するためのインバーターなどに搭載する。 ...

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)を6素子搭載し小型化を実現しており、2素子搭載の従来製品を三つ使用した場合と比べ実装面積で、約80%に縮小できるという。 &...

最新の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)を搭載、従来製品より損失を約10%低減。

SJ―MOSFETのウエハー裏面にIGBTを形成することで、瞬間的な大電流にも対応した。 これまで定格保証域の限界からIGBTを採用してきた機器での置き換えを狙う。低電流域での損失は...

「耐熱性と強度を高めることで、半導体などに使われる絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)やスイッチの材料も提供できる」と確信する。

将来は絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)など大容量品にも導入するとみられる。 IGBTはパワー半導体のなかでも特に成長が期待される製品。... IGBTでシ...

日本では三菱電機が絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)モジュールで高シェアを誇るほか、ロームが次世代品とされる炭化ケイ素(SiC)製の製品開発を加速している。

そこで同社独自のIGBTを開発した。... 新型のIGBTを使い、同型のモジュールを製品化しているメーカーはまだなく、現在は他社に外販もしている。 ... (編集委員・明豊&...

従来型発電機では電圧制御に大型の6個のトランジスタ(IGBT)を搭載しているが、新製品ではバイパス回路を用いることで小型の1個で済む。

ルネサスエレクトロニクスは、保護機能を内蔵した絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)駆動用フォトカプラ(写真)を開発した。... インバーターに搭載してモーターを...

シリコン製の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)に比べて、電力変換時の損失を85%低減する効果がある。

EH5000は、エンジンで発電機を駆動し、発電機からの電力を絶縁ゲート・バイポーラトランジスタ(IGBT)インバーターで制御して走行用モーターを駆動する仕組み。