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記事検索結果
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【横浜】筑波大学の大毛利健治准教授は、ディー・クルー・テクノロジーズ(横浜市港北区、石川明彦社長、045・470・0533)と東京工業大学とともに、金属酸化膜電界効果トランジスタ...
従来は1種類だったMOSFETのゲート電極の材料を2種類とし、それぞれナノメートル寸法(ナノは10億分の1)で制御、加工した。... シミュレーション結果によると、MOSFETの性能を...
ゲルマニウムのpMOSFETの直上にインジウム・ガリウム・ヒ素のnMOSFETを形成することによって、p型とn型のMOSFETを横に並べるこれまでの作製方式に比べて回路面積も縮小した。... インジウ...
実用化の技術は難しく、技術部門に問い合わせる日が続いたが、ようやく「パワー半導体のMOSFETやラジエーターで実現できた」。
スーパージャンクション金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(SJ―MOSFET)と絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)のデバイス構造を融合させた。... 通常主...
スイッチング素子に金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)を採用し、低電流領域のオン電圧を従来製品に比べて6割低減。
オペアンプや金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)など数点の部品を追加することで、ちらつきの原因となる電流の変動(リプル)をゼロにした。
スイッチング素子に金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)を採用し、低電流領域のオン電圧を従来比6割低減。
東京工業大学の菅原聡准教授、周藤悠介特任助教らの研究チームは、神奈川科学技術アカデミーと共同で、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)と電子の磁気的性質(スピン)の融合技術...
高効率化で次世代MOSFETとして期待されるトレンチ構造にも対応。京大とロームがトレンチ型MOSFETを試作し、その性能を実証した。 高耐圧化、薄型化などSiC製MOSFETの特性を...
まずは小信号酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)に適用し、7月にマレーシア、タイの両工場で合わせて月6000万個体制で量産を始めた。
パナソニックは22日、放熱性能の向上と小型化を両立したパワー酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET、写真、一目盛りは1ミリメートル)を完成、10月に量産を始めると発表した。
【京都】ロームは産業機器や車載用機器向けのパワー酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)市場に参入する。... 耐圧40ボルトのパワーMOSFETは電流値9―100アンぺアの製...
SiC製のショットキーバリアダイオード(SBD)と酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を搭載しており、機器の小型・高効率化に貢献する。
【京都】ロームは汎用性の高い炭化ケイ素(SiC)製の酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET、写真)を完成、7月に量産する。... 新しいMOSFETは耐圧120...
