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記事検索結果
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【横浜】レーザーテックは、半導体加工技術の極端紫外線(EUV)露光用マスクパターンの欠陥を高い感度で検出するEUV欠陥検査装置「ACTIS A150=写真」を製品化した...
生産品目のEUV(極端紫外線)用フォトレジストが対韓輸出規制強化の対象となるなど、環境は変化している。
極端紫外線(EUV)光源など最先端プロセス向けの材料で、本格的な量産に至っておらず、そもそも韓国の半導体メーカーへの影響は少ないとみられる。
つくば工場(茨城県筑西市)に10億円投じ、新棟を増設し、車載用半導体などEUV(極端紫外線)向けターゲット材を増強する。
半導体の回路パターンを転写する工程に使うレジストは数種類あり、今回の対象は極端紫外線(EUV)光源と電子線(EB)露光に対応したもの。
AGCは28日、光源に波長13・5ナノメートル(ナノは10億分の1)の極端紫外線(EUV)を用いる露光装置向けのフォトマスク材の生産能力を、2020年に現在比約3倍に増...
1968年には日本初の半導体レジストの製造を開始以来、常に世界半導体レジスト大手メーカーの一角を占め、長年培ってきた高度なフォトリソグラフィ技術や生産管理をベースに、極端紫外線(EUV)...
産業技術総合研究所と東京大学、早稲田大学は、波長13・5ナノメートル(ナノは10億分の1)の極端紫外線を使って熱影響の少ない石英ガラスのレーザー加工法を開発した。... 極端紫外線レー...
研究開発も充実させたい」 ―ベルギーに立ち上げた極端紫外線(EUV)用フォトレジストの合弁会社が、始動3年目を迎えます。
さらに極端紫外線(EUV)リソグラフィーなど次世代リソグラフィー向けの材料開発の評価装置としても訴求する。
電子事業は需要が見込める極端紫外線(EUV)露光用のフォトマスクブランクスの供給体制を拡充する。
旭硝子グループのAGCエレクトロニクス(福島県郡山市)は5日、光源に極端紫外線(EUV)を用いる露光装置向けにフォトマスクブランクスを増産すると発表した。
【EUVマスクブランクス欠陥検査/レビュー装置「ABICS E120」】 微細な半導体の回路パターン転写を可能にする極端紫外線(EUV)を使った次世...
【レーザーテック・楠瀬治彦副社長/受注も好調】 超高真空下での極端紫外線(EUV)マスクブランクス欠陥の検査装置開発は初めて。
電離圏では、太陽からのX線や極端紫外線によって、高さ60キロ―1000キロメートルにおける地球の大気の一部が電離され、プラスとマイナスの電気を帯びた粒子から成る電離ガス(プラズマ)とな...
