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同社の従来機種では外付けしていた金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOS―FET)を内蔵。

新電元工業は4月に車載MOS―FET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)に参入する。... この一環として、これら部品の中核となる車載用パワー半導体に進出する。 ... 自...

ルネサステクノロジは7日、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)2種類とドライバーIC(集積回路)を一体化したノートパソコン用の半導体パッケージ製品を量産...

三菱電機は11日、炭化ケイ素(SiC)半導体を内蔵した新しいインバーターを試作し、シリコン製半導体を内蔵したタイプに比べて電力損失を9割低減できることを実証したと発表した。... イン...

【厚木】日本インターはハイブリッド車(HV)や電気自動車(EV)のモーター駆動用の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)モジュールを開発した。.....

MOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)などのパワー半導体やセンサーの単品売りで評価されてきた。... 車載半導体の国内シェアは3%強だが、10%以上に引き...

従来品はパワー金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)4素子とドライバーICの合計5素子を実装していたが、これを一つのパッケージに集積、小型化した。

銅線は電気抵抗が低く、熱伝導性に優れるが、製造過程の酸化抑制が難しく、これまでは採用範囲をローエンドの民生品向けパッケージに限定していた。自動車用エンジン系パワー半導体の高温保証やコスト要求が強まる中...

産業用インバーターなどの電源機器はパワー密度の向上に伴い、半導体部品にも高温度動作が求められる。... 産業用インバーターやモーター駆動装置、スイッチング電源装置などの金属酸化膜半導体電界効果トランジ...

金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)4個と駆動用ICを1パッケージ化した。

三洋半導体(群馬県大泉町、田端輝夫社長、0276・61・8341)は2日、携帯電話に適した金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を開発し、5月からサンプル...

コントロールICと金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)4個を1パッケージに収めたマルチチップパッケージを採用し、自動実装を可能にした。

新電元工業はオン抵抗を同社従来品と比べ20%小さくしたパワーMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ、写真)を開発した。半導体プロセスのセル構造の微細化に加え、拡散構...

サンケン電気は3日、窒化ガリウム結晶をシリコン基板上に成長させる技術などを使い、大幅な低損失化や高耐圧化を実現した電界効果トランジスタ(FET、写真左)とショットキーバリアダイオード&...

京都大学の木本恒暢教授、須田淳准教授、登尾正人研究員らは、炭化シリコン(SiC)横型の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を作製した。... 成果は米フ...

ルネサステクノロジは2011年までに電力用半導体(パワーデバイス)の生産能力を倍近くにする。... 電源などのスイッチ機能を持つパワー金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MO...

同MPUは切手サイズの場所にスイッチ機能を担う金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を7億個以上も集積している。... 回路線幅45ナノメートルに至る一世代前は、MOSF...

専任組織が発光ダイオード(LED)や半導体などグループ会社製品の品質保証活動を主導し、不良発生率100万分の1を目指す。... トランジスタやパワーMOSFET(金属酸化膜半導...

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