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【京都】ロームはDC/DC(直流/直流)コンバーター用に、高効率化した耐圧30ボルトの酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)16種類を完成...
【京都】ロームは電力損失をシリコン(Si)製パワー半導体の20分の1以下に抑えた炭化ケイ素(SiC)製のトレンチ金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFE...
【半導体および装置分野】 久本大日立製作所主管研究員は、3次元立体構造の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を世界で初めて試作し、その効果を実証した。
三菱電機は業務無線機や特定小電力無線機の電力増幅器用に7・2ボルト動作の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET、写真)を12月1日に発売する。
数年内にSiCのMOSFETも製品化し、ダイオードだけでなく、インバーターモジュールの「フルSiC化」の製品化も視野に入れる。
【半導体及び半導体装置分野】久本大日立製作所中央研究所エレクトロニクス研究センタ主管研究員「フィン型MOSFETの提唱と実証」 【計測評価分野】中西彊名古屋大学名誉教授、竹田美和名大教授、越川...
【京都】ロームは14日、大幅に電力損失を抑えた太陽光発電用パワーコンディショナー向け金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)「R5050DNZ0C9」のサンプル出荷を始めた...
オムロンと米アイスモス・テクノロジー(アリゾナ州)4日、微小電気機械システム(MEMS)技術を応用した高耐圧の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET...
理論的に金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)より電力損失を低減できる可能性があり、特に高い電圧を扱うEVや鉄道車両などの省エネルギーに役立つと期待されている。
省電力に貢献する金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)や絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)など複数のパワー半導体の出荷要請を受けており、4―6...
IPDはパワーMOSFETや各種保護機能や制御回路を一つのパッケージに内蔵した製品。 従来はMOSFETと制御回路のプロセスが異なり、2チップ構成だったが、新しいプロセスを採用することで1チッ...
金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)と電流を順方向に流す独自の回路技術で実現した。... MOSFETを搭載し電圧降下を約0・1ボルト以下に抑えることを実現した。
半導体各社は素材にシリコンの代わりに炭化ケイ素(SiC)を活用した金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の生産に乗り出す。... 同時に、SiCを使ったM...
4月にSiCダイオードの量産を開始、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の生産体制もすでに整えた。... 数年内にSiCのMOSFETも製品化し、インバーターモジュール...
従来は外付けが主流だったパワー金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)と、従来はディスクリート部品で構成していたサーマルシャットダウン、過電流保護、低電圧誤作動防止、デット...
