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記事検索結果
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1・2キロボルトのSiC―金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)パワー半導体で実証した。
EVなど活用期待 京都大学大学院工学研究科の木本恒暢教授らは、炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET...
SiCパワー半導体の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)はロームが先行して技術開発し、事業化。
光応答性高分子の「PNDPE」をトランジスタの絶縁層に採用。集積回路を作ってから狙ったトランジスタの電気特性を変えて電子回路を制御する技術になる。 ... この反応を利用してトランジ...
デュアルチップ・モジュール設計では、17のメタル層に220億個のトランジスタと、全長30キロメートルに及ぶワイヤを使用する。 ...
この軌道を電子伝導に利用することで、高効率の有機トランジスタや有機太陽電池の開発が期待される。
そこで半導体微細化技術で作製した小型グラフェン電界効果トランジスタ上に、金属錯体分子を固定化してガスセンサーを作った。
通常、バッテリー監視ICを使用する際は抵抗やトランジスタなどの「外付け部品」が複数必要だが、新製品はそれらを内蔵して一つにする「電源分圧出力機能」を車載用で初めて採用した。
数マイクロメートルサイズ(マイクロは100万分の1)のトランジスタ単体の試作を皮切りに、半導体チップ上に搭載する回路規模を徐々に増やし、19年には1000トランジスタ規模の集積回路&#...
同時に駆動電圧が数ボルトと低く、優れたスイッチング特性を持っていることから有機トランジスタなどの有望候補材料になる。... 開発した有機半導体材料でトランジスタを作製したところ、1・2ボルトの電圧印加...
また電界効果トランジスタに似た構造を持つことから、電流値で量子ビット状態を測定できるという利点もある。
ロームは、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の2素子内蔵品にオン抵抗を他社従来品比61%低減(P型部の比較)したプラスマイナス40ボルト耐圧品...
山形大学有機エレクトロニクスイノベーションセンター水上研究室(水上誠准教授)が有機トランジスタ素子を作製した。... 同有機トランジスタ素子は、ガラス基板上にソース、ドレイン、ゲートを...
東京大学の小林正治准教授らは、神戸製鋼所とコベルコ科研(神戸市中央区)と共同で酸化物半導体「IGZO」トランジスタの移動度を2倍に高めることに成功した。... トランジスタはIGZOに...
【川崎】富士通ゼネラルは15日、窒化ガリウム(GaN)を材料に使った電界効果トランジスタ(FET)の高耐圧チップをドライブ回路とともに内蔵した小型パワーモジュールを、世...
産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センターの岡本光央主任研究員と原田信介研究チーム長らの研究グループは、炭化ケイ素(SiC)のパワー半導体の縦型金属酸化膜半導体電界効果ト...
