今後は蓄電池向けも期待できる」 ―次世代材料を使った窒化ガリウム(GaN)パワー半導体の取り組み状況は。 ... ただ車の電装化や産業機器の省力化、...

同デバイスの半導体材料には、5G用の周波数帯の特性に適した窒化ガリウム(GaN)を採用し、高性能化を狙う。 ... そのため高周波出力のGaNを採用しないと、設備の小...

米トランスフォームは同社の高電圧窒化ガリウム(GaN)パワー電界効果トランジスタ(FET)がTDKラムダに採用されたと発表した。TDKラムダは、初めてGaNを使って最新...

三菱電機は窒化ガリウム(GaN)製高周波デバイスで、第5世代通信(5G)市場を狙う。... だが5G用に割り当て予定の高い周波数帯域では、高周波出力のGaN製でないと設...

汎用性や拡張性を高め、従来機で難しかった半導体レーザーや、窒化ガリウム(GaN)パワーデバイスの研究開発、少量生産用途などにも活用できる。

産業技術総合研究所の岸川諒子主任研究員と堀部雅弘研究グループ長と宇宙航空研究開発機構(JAXA)の川﨑繁男教授は、宇宙線ノイズに強い窒化ガリウム(GaN)を用いて高周波...

名古屋大学が次世代の半導体材料として期待される窒化ガリウム(GaN)の研究体制を強化している。... 「世界初のGaNデバイスに特化したプロセスラインを築いた」(天野浩名大未来...

熱化学的な安定性の面でダイヤモンドよりも優れる立方晶窒化ホウ素(cBN)とともに、切削、研削、研磨加工、切断などで活躍している。... 例えば半導体分野では基板材料として新たに炭化ケイ...

縦型で高出力・高周波用途開拓 豊田合成が、2020年代前半の量産化を目指して窒化ガリウム(GaN)のパワー半導体を開発中だ。... 「既にSiCや横型のGaNデバイス...

名大が7月に開設した窒化ガリウム(GaN)の研究拠点「エネルギー変換エレクトロニクス実験施設(C―TEFs)」などの有効利用などで産業振興につなげる。... 両大学はG...

豊田合成が、電力変換や入出力制御に使う窒化ガリウム(GaN)パワー半導体の開発を急いでいる。... LED向けに培ったGaNの結晶化の知見などを生かし、高出力と高周波を両立する半導体デ...

【名古屋】ファインセラミックスセンター(JFCC)と高エネルギー加速器研究機構は、窒化ガリウム(GaN)の結晶欠陥を非破壊で検出する技術を開発した。... 欠陥情報のフ...

【名古屋】ファインセラミックスセンター(JFCC)は、窒化ガリウム(GaN)ナノワイヤ(ナノは10億分の1)内部の不純物(ドーパント)分...

赤﨑勇名城大学教授、天野浩名古屋大学教授、中村修二米カリフォルニア大学教授が2014年のノーベル賞を受賞した青色発光ダイオード(LED)の材料である窒化ガリウム(GaN)...

【名古屋】名古屋大学未来材料・システム研究所は24日、窒化ガリウム(GaN)の研究拠点「エネルギー変換エレクトロニクス実験施設(C―TEFs)」を完成、開所式を行った。...

電動モビリティーの利用方法の実験と、窒化ガリウム(GaN)を活用した半導体デバイスの性能評価の実験を兼ねる。 ... GaNデバイスはモーター制御のトランジスタで性能...

赤色はガリウムヒ素(GaAs)系、緑色や青色は窒化ガリウム(GaN)系の基板材料を使用し、技術が大きく異なる。 ...

【京都】ロームは次世代の窒化ガリウム(GaN)製パワー半導体を手がける、カナダのガンシステムズ(オンタリオ州)と業務提携した。GaNは大電流に強く、電力消費量を抑えたり...

開発中の技術の事業化スピードを速めるため、「外部の専門家に“目利き”として加わってもらっている」(宮崎社長)という。具体的には電気の力で伸縮する「eラバー」や窒化ガリウム(Ga...

窒化ガリウム(GaN)の致命的な欠陥を特定し防止策を開発した。GaNのパワー半導体への応用を開く成果だ。 ノーベル賞を受賞したGaNの結晶成長技術は2000回の失敗の...