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記事検索結果
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同センターの冨岡克広准教授は、シリコン基板上にインジウムガリウムヒ素などの化合物半導体のナノワイヤを積んだ「縦型トランジスタ」を世界に先駆けて開発した。
メモリーは3次元DRAM、デバイスはインジウム、ガリウム、亜鉛、酸素で構成された酸化物半導体(IGZO)関連の発表が多く、「技術、回路ともにAI向け半導体の論文が全体をけん引した」&#...
寄贈したのは、次世代半導体の窒化ガリウム(GaN)を採用することで小型・軽量化したACアダプター「BSACPD4500BK」。
透明電極は導電性高分子、不透明電極に液体金属の共晶ガリウム・インジウムを採用した。... 透明電極と機能層をブレードコート法で塗布した後に共晶ガリウム・インジウムをスプレーで塗布する。空気中で噴霧する...
その際、アルミの含有量を70―95%まで一定の割合で増やしたアルミニウムガリウム窒化物を使い、pn接合部分を分布型分極ドーピングで形成した。
半導体材料としてフォトレジスト用ポリマーや窒化ガリウム(GaN)基板などに加え、半導体製造装置の精密洗浄サービスなどを展開する。
炭化ケイ素(SiC)や酸化ガリウムなどの次世代パワー半導体のほか、機器の省エネ化・電動化、工場や発電所などから排出された二酸化炭素(CO2)を再資源化する「カーボンリサ...
半導体材料については、窒化ガリウム(GaN)基板はレーザー向け2インチウエハーを拡販し25年に現状比4―5割増の出荷を目指す。
現在、ラピダス(東京都千代田区)との連携を視野にロジック半導体の量産化に協力するほか、パワー半導体向けの高品質な窒化ガリウムの結晶でも産業に貢献している。
シリコンの上に鉄ガリウムを成膜する単純な構造で1ケルビン当たり15・2マイクロボルト(マイクロは100万分の1)の電力を発生する。... ゼーベック効果の大きいシリコンの上に磁性材料の...
【京都】ロームは同社の650ボルト耐圧窒化ガリウム(GaN)パワー半導体デバイスが、台湾デルタ電子の45ワット出力ACアダプターに採用された。
研究チームは「スプリットリング共振器」と呼ぶテラヘルツ帯域(テラは1兆)に共鳴周波数を持つ半導体基板上に作製した光共振器と、ヒ化ガリウム製の半導体量子ドット中に閉じ込めた電子を強く相互...
同ウエハーは、長らく次世代パワー半導体と言われ、普及期に差し掛かっている炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)を使ったウエハーの“次”を担う候補の一つ。
IoT(モノのインターネット)技術を活用した工場のオペレーションシステムを手がける米ロシックスや、窒化ガリウム(GaN)パワー半導体の開発を手がける台湾アンコラ・セミコ...
大阪大学の山内和人教授らが考案した触媒基準エッチング(CARE)法により、炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)の基板を原子レベルで平坦化する装置...
スマートエナジー研究所(横浜市港北区、中村創一郎社長)は、窒化ガリウム(GaN)と炭化ケイ素(SiC)のパワー半導体に対応した回路シミュレーターを開発し...
その優れた半導体性能は、パワーデバイスとしての利用が広がる炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)をも凌駕(りょうが)するほどだ。 ...
あとは(大型車向けなどに)SiCの需要がどこまで増えていくかだ」 ―同じく次世代パワー半導体として有望な、高耐圧や電力損失の少ない酸化ガリウムの研究開発をするノベルク...
CFBでは次世代パワー半導体材料の窒化ガリウム(GaN)を低コストで製造し、半導体デバイス市場への参入を目指す。
