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同センターの冨岡克広准教授は、シリコン基板上にインジウムガリウムヒ素などの化合物半導体のナノワイヤを積んだ「縦型トランジスタ」を世界に先駆けて開発した。

次世代太陽電池はガリウムヒ素、CIGS(銅・インジウム・ガリウム・セレン)、ペロブスカイトなどをトップセルに、ボトムセルと積層したタンデム型で高効率化を実現する。

開発した画像センサー「IMX992」は、受光部のフォトダイオードを形成するインジウム・ガリウム・ヒ素層と、読み出し回路を形成するシリコン層を銅端子で直接接合することで、業界最小の画素サイズを可能にして...

浜松ホト、高精度大量プラ選別 反射光撮影用に新センサー (2023/10/19 電機・電子部品・情報・通信2)

エリアイメージセンサーの材料にはインジウム・ガリウム・ヒ素(InGaAs)を使用している。

住友電工は半導体事業で、第5世代通信(5G)基地局向けや交通管制の通信用などに不可欠で競合の少ないガリウムヒ素・インジウムリンなどの化合物半導体を手がけている。

【フランクフルト=ロイター時事】中国のガリウム輸出管理強化を受けて、ガリウムから作られる特殊な半導体ウエハー(基板)を買いだめしようとする動きが強まっていることが分かった。.....

さらに高機能センサーの「LiDAR(ライダー)」では、インジウム・ガリウム・ヒ素(InGaAs)、窒化ガリウムなど非シリコンベースの半導体需要が加速。

量子ドットと希薄窒化ガリウムヒ素を組み合わせた光学活性層を用いてスピンLEDを作製した。 ... 高電圧では電子スピンの偏極が弱まる課題があったが、希薄窒化ガリウムヒ素で偏極率を増幅...

ガリウムヒ素はレーザーの発光層などに用いられる光機能性物質。... シリコンウエハー上にガリウムの液滴を作り、液滴にガスのヒ素が取り込まれるとガリウムヒ素の針状結晶が伸びる。 ...

中沢卓越教授はエルビウムを添加したファイバーと、InGaAsP(インジウム・ガリウム・ヒ素・リン)半導体レーザーを組み合わせる手法を提案。

ガリウムヒ素(GaAs)基板上に化合物半導体層を形成し、YAG(イットリウムアルミニウムガーネット)結晶を積層する。

08年に結晶の材料として、それまでのガリウムヒ素(GaAs)系に加えて窒化ガリウム(GaN)系を採用した。

京都大学の野田進教授と北陽電機(大阪市西区)、Doog(ドーグ、茨城県つくば市)らは、ガリウムヒ素(GaAs)系フォトニック結晶レー...

インジウムガリウムヒ素薄膜をシリコン光導波路に貼り合わせて光を吸収させる。すると光が電子と正孔に分かれ、正孔はインジウムガリウムヒ素に溜まり、電子はトランジスタ電流として流れる。

難しいとされる赤色LEDの発光は窒化インジウムガリウム(InGaN)で実現した。... 赤色LEDは従来のガリウムヒ素(GaAs)、リン化ガリウム(GaP...

2接合型ガリウムヒ素太陽電池と水電解セルを組み合わせる。

同社の化合物3接合型太陽電池セルはインジウム、ガリウム、ヒ素をボトム層とする三つの光吸収層を積み上げる独自構造を採用。

東北大学の平山祥郎総長特命教授らは、ガリウムヒ素半導体の量子構造が2分の3の偶数分母状態になることを発見した。... ガリウムヒ素とアルミニウムガリウムヒ素の高移動度半導体で素子を作り、高磁場下の極低...

研究チームは半導体材料であるガリウムヒ素の微細構造に電子を閉じ込め、電子のスピンの向きで0、1を表現するスピン量子ビットを採用。

実用の半導体光デバイス材料であるインジウム・ガリウム・ヒ素(InGaAs)で量子ドットを作製。

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