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東大・NTTなど、金属元素含まない回路開発「電子ゴミ」問題解消（2024/4/5 科学技術・大学）

高いキャリア移動度のp型、n型有機半導体の薄膜単結晶と導電性カーボン、プロセス耐性と絶縁性を持つ高分子材料とを組み合わせ、有機トランジスタによる回路を作製した。

大気下で安定、電子と正孔の双方流す有機半導体東大・大阪公立大が開発（2022/12/15 科学技術・大学）

この厚み数十ナノメートル(ナノは10億分の1)の薄膜でトランジスタを作製するとキャリア移動度やオンオフ比は高い性能を示した。

【用語】ダイヤモンド半導体=絶縁破壊電界強度や熱伝導性、キャリア移動度などの物性値が優れ、究極の半導体材料とされる。

有機トランジスタは100度C程度の比較的低温で、安価なフィルムを用いて常圧の印刷方式で大面積の製造もできる」 ―山形大との協力の狙いは。 ... 「有機半...

東工大、p型半導体を塗布で製造 IGZO・TFT作製（2022/2/4 科学技術・大学）

この二つの物質がコアシェル構造を作ることで、高いキャリア移動度とスイッチング機能を両立した。

理研、有機半導体材を開発高移動度・低駆動電圧（2021/7/7 科学技術・大学）

理化学研究所のキリル・ブルガレビッチ特別研究員と瀧宮和男チームリーダーらは、キャリア移動度が平均で32平方センチメートル/ボルト秒と高い移動度を誇る有機半導体材料を開発した。... 電流が流...

凸版印刷、屈曲100万回のTFT （2021/3/18 電機・電子部品・情報・通信２）

1秒間1ボルト当たり10平方センチメートルの高いキャリア移動度を両立。... 量産に適用している技術を生かして開発した新規構造を採用することで、弾性変形をしやすくし、耐久性、キャリア移動度との両立を実...

技術で未来拓く・産総研の挑戦(103)グラフェン―最も薄い炭素膜（2019/11/14 科学技術・大学）

これを契機に物質最大のキャリア移動度、機械強度などグラフェンのず抜けた特性が次々に報告され、学術的な注目が集まると同時に、広範な分野での工業利用が期待されている。 ... その結果、...

金沢大など、ダイヤモンド半導体使った反転層チャネルMOSFETを世界初作製（2016/8/23 科学技術・大学）

ダイヤモンドは、パワーデバイス材料の中で最も高い絶縁破壊電界とキャリア移動度、熱伝導率を持つ究極のパワーデバイス材料だ。

黒鉛を引き剥がした1原子層からなるグラフェンは、電子、ホールのキャリア移動度が既存の半導体材料に比べて格段に高いことが知られている。

分子研、キャリア移動度4倍の有機半導体を開発（2013/11/20）

自然科学研究機構分子科学研究所のチャン・ドンリン准教授らの研究チームは、従来比約4倍の1ボルト・1秒当たり4・2平方センチメートルという高いキャリア移動度を持つ有機半導体を開発した。

p型ゲルマニウムはシリコンの4倍を超えるキャリア移動度をもち、高速動作が可能な次世代トランジスタ材料として注目されている。... 従来、スピン情報の入力はマイナス180度C以下の極低温に限られており、...

産総研など、バラつき抑えCNTトランジスタを印刷する技術（2012/4/19）

またインクに含まれる界面活性剤を取り除く工程を改良し、電子の動きやすさの指標となるキャリア移動度を、従来比40倍となる1秒間1ボルトあたり3・6平方センチメートルに高めた。

SMTはゲート電極からチャンネルに応力を印加して結晶をひずませ、チャンネル中のキャリア移動度を上げてオン電流を向上する技術。