フッ化水素酸は半導体シリコン基板の洗浄やエッチングに欠かせないが毒性が強く、扱いは難しい。

同技術はシリコンや有機基板などのインターポーザー(中継部材)を介して複数チップと配線基板を接続する点が大きな特徴だ。 シリコンウエハー大手SUMCOは「中継部材に高性...

さらにゲート電極にシリコン基板を用いて単一電子トランジスタを作り、その室温動作も確認した。

炭化ケイ素(SiC)基板上に作製した同一形状のトランジスタに比べ、放熱性を2倍以上に高めた。... 研究チームはシリコン基板上にGaN層とSiCバッファ層を生成。その後、シリコン基板か...

電気通信大学の山口浩一教授らの研究グループは、従来比10―100倍の高い密度でインジウムヒ素製の量子ナノワイヤ(量子細線)をシリコン基板上に高均一に作製した。......

シリコンはテラヘルツ波を吸収しないため電力効率が70%以上と高い。... 単結晶シリコン基板に数十マイクロメートル(マイクロは100万分の1)から数百マイクロメートルの四角い穴...

第10世代などの大型基板にも適用できる。 ... シリコン基板では不可能な大型化や透明、フレキシブルなどが特徴になる。

モジュール内にレーザー光を結合できる光導波路構造を設けたシリコン基板を搭載したのが特徴で、体積は一般的なモジュールと比べ10分の1以下。... 今回開発したモジュールでは、シリコン基板上に同機能を作り...

二層膜をシリコン基板上に形成し、大電流を流せるようにした。

レーザーパルスのエネルギーが大き過ぎると集光点で空気がイオン化し基板を傷つける。... レーザーパルス一つには3・3ミリジュールしか投入できず、シリコン基板を削り取る体積は19立方ミリメートル。......

2センチメートル角のシリコン基板上に8×8個の64量子ビットを集積したチップを設計した。

シリコン基板上に成長したCNTを直接糸状に紡ぎ出す乾式紡績法を採用する。

半導体で集積回路を作るための重要なプロセスが、シリコン表面を酸素ガスに曝し、酸化物を形成することだ。この時シリコン基板と酸化物との界面の原子配列に、あるべき原子がない欠陥ができることがある。... そ...

酸化膜とシリコン基板の界面にある欠陥で酸素分子が反応する時に、電気の伝導に寄与する電子や正孔などが関与することが分かった。... これまでに酸化膜とシリコン基板の界面にある欠陥で酸素分子が反応すること...

同社によると半導体用途で12インチのサファイア基板を製造販売するのは業界で初めて。... 現状はLED光源の下地基板としての利用が主流だが、近年はLED以外の次世代デバイスの開発にサファイア基板の採用...

一例がインターポーザ(複数の半導体チップと基板を接続するための中継部材)向けの露光装置だ。... シリコン基板上に回路を転写する通常の露光装置とは異なる特性が必要で、先端パッケージ向け...

Si―OLEDは、回路を作成したシリコン基板上に白色の有機EL(OLED)光源を形成し、カラーフィルター(CF)やマイクロレンズを重ねる構造。

対象は東京大学大学院新領域創成科学研究科の杉本宜昭准教授の「シリコン基板におけるドーパント原子の識別と自在配列」など、174件(21年度は205件)。

電気自動車(EV)などの新分野では従来のシリコンに替わる次世代素材が注目されている。... セントラル硝子は、炭素を含むシリコン溶液中で結晶を育成する「溶液法」を用いた研究を進めている...

東ソーは1―2年以内にシリコン基板へ窒化ガリウム(GaN)を成膜するスパッタリングターゲット材の市場投入を目指す。... スパッタ法は成膜に応力を付与でき、大口径シリコン基板に対応でき...