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記事検索結果
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GaN基板は、シリコン(Si)など既存のパワー半導体用基板に比べ、パワー半導体のスイッチング速度を大幅に速め、かつデバイスを小型化できる。
トランジスタのスイッチング速度の指標である「電流利得遮断周波数」が800ギガヘルツ(ギガは10億)以上になることを確認した。
観察途中で壊れてしまう問題も改善し、光スイッチング回数を25倍多くできるなど高い安定性も示した。... フェニルアラニンと呼ばれるアミノ酸をセリンに変えることで、光スイッチングの速度が向上したと考えら...
同社従来品とスイッチング速度は同じで消費電力を約44%低減、サイズも約75%小型化した。... スイッチング速度は実用化レベルで500キロヘルツ。
電流のオン・オフ切り替え(スイッチング)速度を2倍超高めることなどで、損失の大幅低減を実現したという。 通常、スイッチング速度を高めると、インバーター回路に瞬間的に高電圧が発生...