電子版有料会員の方はより詳細な条件で検索機能をお使いいただけます。

9件中、1ページ目 1〜9件を表示しています。 (検索にかかった時間:0.002秒)

今後、最安定相と準安定相の性質の差やスイッチング速度を明らかにして記憶素子などへの可能性を探る。

GaN基板は、シリコン(Si)など既存のパワー半導体用基板に比べ、パワー半導体のスイッチング速度を大幅に速め、かつデバイスを小型化できる。

富士電機、パワー半導体で省エネに貢献 (2020/12/28 電機・電子部品・情報・通信)

IGBT駆動制御用ICを使って高温時でもスイッチング速度を落とさずに電力損失を抑えた。

トランジスタのスイッチング速度の指標である「電流利得遮断周波数」が800ギガヘルツ(ギガは10億)以上になることを確認した。

「JFET」と呼ばれる既存の素子に比べ、MOSFETはスイッチング速度を約2倍に高められる。

同デバイスのスイッチング速度の速さから発生するノイズなど、従来発生していた課題を解決した。

観察途中で壊れてしまう問題も改善し、光スイッチング回数を25倍多くできるなど高い安定性も示した。... フェニルアラニンと呼ばれるアミノ酸をセリンに変えることで、光スイッチングの速度が向上したと考えら...

同社従来品とスイッチング速度は同じで消費電力を約44%低減、サイズも約75%小型化した。... スイッチング速度は実用化レベルで500キロヘルツ。

電流のオン・オフ切り替え(スイッチング)速度を2倍超高めることなどで、損失の大幅低減を実現したという。 通常、スイッチング速度を高めると、インバーター回路に瞬間的に高電圧が発生...

ご存知ですか?記事のご利用について

カレンダーから探す

閲覧ランキング
  • 今日
  • 今週

ソーシャルメディア

電子版からのお知らせ

日刊工業新聞社トピックス

セミナースケジュール

イベントスケジュール

もっと見る

おすすめの本・雑誌・DVD

ニュースイッチ

企業リリース Powered by PR TIMES

大規模自然災害時の臨時ID発行はこちら

日刊工業新聞社関連サイト・サービス

マイクリップ機能は会員限定サービスです。

有料購読会員は最大300件の記事を保存することができます。

ログイン