半導体の1ナノメートル世代以降のオングストローム世代(オングストームは100億分の1メートル)までスピン注入型磁気抵抗メモリー(STT―MRAM)技術を延伸できることに...

待機電力を大幅減 東京工業大学のファム・ナムハイ准教授は米カリフォルニア大学ロサンゼルス校と共同で、不揮発性メモリーの大容量化につながるスピン軌道トルク磁気抵抗メ...

ただ、スピン注入型磁気抵抗メモリー(STT―MRAM)の材料に使われるなど引きは強い。

東北大学の永沼博准教授と遠藤哲郎教授らの研究グループは、1ケタナノメートル(ナノは10億分の1)世代の集積回路に対応したスピン注入型磁気抵抗メモリー(STT―MRAM)...

ソニーセミコンダクタソリューションズ(神奈川県厚木市)の岡幹生デバイスエンジニアらが、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)イメージセンサーに積層できるスピン注入型磁気抵抗...

スピンを使った次世代半導体で日本は世界をリードする。 ... 電流がつくる磁場で情報を記録する初代のMRAMに対し、日本は2000年代初頭から、次世代の「スピン注入磁化反転型」MRA...

研究チームは、磁性酸化物とグラフェンの接合によるスピン注入技術を開発した。... その結果、グラフェン内部のスピンが磁性酸化物のスピンと同じ向きにそろうことを突き止めた。 ... し...

日本原子力研究開発機構先端基礎研究センターの松本吉弘研究員らは、シート状の炭素原子であるグラフェンと磁性金属(ニッケル)の接合体について、界面の近くでは電子スピンが面に対して垂直方向に...

東北大学はNECの試作協力で、スピン注入磁化反転型磁気トンネル接合(MTJ)素子と、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)技術を組み合わせた論理混載用1メガ不揮発性メモリー...

強磁性体からスピンを強制的に流し出す「スピンポンピング」を用いた。... 研究グループは、電流を伴わずに電子の磁気的性質であるスピンのみが伝わる「純スピン流」に着目。... 今後は、より効率的なスピン...

超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)は、ロジック高密度集積回路(LSI)混載のキャッシュメモリー向けにスピン注入型高性能磁気抵抗メモリー「STT―MRAM」を開発し...

富士通、日立製作所、東芝、三菱電機など電機メーカー10社で構成する超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)は、次世代記憶素子であるスピン注入型不揮発性磁気メモリー(MRAM&#...

スピン注入磁化反転型磁気トンネル接合素子(MTJ)を使うことで、最高5ナノ秒という高速で回路の書き換えができることを確認した。 ... 今回スピン素子を使って、その変...

富士通、日立製作所、東芝、NEC、三菱電機など電機メーカー10社で構成する超低電圧デバイス技術研究組合は、次世代の記憶素子であるスピン注入型不揮発性磁気メモリー(MRAM)の実用化に必...

これをスピン生成源としてデバイスに組み込むことで、純スピン流の生成効率を1ケタ以上向上できた。今後、3次元のスピン注入や多端子のスピン注入など、純スピン流を使った次世代の省エネスピンデバイスの実用化を...

▽銅系超弾性合金を用いた高耐力三次元免震装置の開発(荒木慶一京大准教授)▽骨格筋特異的カルパインの活性化による筋ジストロフィー発症防止機構の解明(小野弥子東京都医学総合研究所主...

最近は、大容量化を可能にする「スピン注入型」と呼ばれるMRAMの開発が進んでおり、ハイニックスやサムスン電子、東芝などが研究を加速していた。

熱エネルギーを電子スピンに変える新しい現象「ゼーベック・スピントンネル効果」を発見した。... 今回、ゼーベック・スピントンネル効果を使うことにより、電流を使わず、熱を利用して磁性体の電子スピンが持つ...

磁性材料に電流を流すと、磁化の方向が変わるスピン注入磁化反転方式を使う。... スピン注入型MRAMの骨格をなすのが、磁気抵抗効果を持つトンネル接合素子(MTJ素子)だ。... これで...

注目を浴びているのがスピン電流注入MRAMだ。... 最近、スピン注入方式で容量64メガビットのMRAMが試作されるなど、大容量化が着々と進展している。