記事検索結果

スピンホール、高温下で増大東工大が新原理（2024/1/25 科学技術・大学２）

東京工業大学のファム・ナムハイ准教授、白倉孝典特任助教、石田乾学部生は、スピン軌道相互作用により、材料中を流れる電子がそのスピンの向きに応じて逆向きに曲げられる「スピンホール効果」を高温で増大させる新...

産総研、MRAM向けに新合金演算チップを省電力化（2024/1/11 科学技術・大学１）

日比野研究員らはアモルファス新合金からなる微細配線上に、記憶素子(MTJ)を置いたスピン軌道トルク型(SOT)MRAM素子を試作した。

東工大など、MRAM候補材を開発低電流密度で高速書き込み（2022/4/21 科学技術・大学）

次世代のスピン軌道トルク磁気抵抗メモリー(SOT―MRAM)の実現につながる。

東工大など、SOT―MRAM素子作製不揮発性メモリー大容量化（2021/11/1 科学技術・大学）

待機電力を大幅減東京工業大学のファム・ナムハイ准教授は米カリフォルニア大学ロサンゼルス校と共同で、不揮発性メモリーの大容量化につながるスピン軌道トルク磁気抵抗メ...

磁化反転、電流密度1000分の1 東大、強磁性材開拓など加速（2020/12/4 科学技術・大学）

強磁性半導体であるガリウムマンガンヒ素の単層薄膜を用い、電流を流すことによって生じる力「スピン軌道トルク」を利用した。... 現在、強磁性体の電子のスピン自由度を用いた新しい省エネルギーデバイスの開発...

スピントロニクスデバイス、銅の酸化で高性能に−慶大が発見（2016/10/12 科学技術・大学）

安藤准教授らは、銅の「スピン軌道トルク」の生成効率が自然酸化によって10%以上になることを確認した。最も高性能なスピントロニクス材料の一つである白金のスピン軌道トルクの生成効率は10%...

東北大、磁気メモリー開発‐低電流で10倍高速動作（2016/4/13 科学技術・大学）

研究グループは、新しい「スピン軌道トルク磁化反転方式」を考案し、その動作を実証した。... 最近、MRAMの新しい情報の書き込み方法として、スピンと軌道相互作用に由来するトルクを用いるスピン軌道トルク...