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富士電機、パワー半導体で省エネに貢献 (2020/12/28 電機・電子部品・情報・通信)

新製品は最新の第7世代IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)素子を採用。

金沢大学ナノマテリアル研究所の徳田規夫教授、松本翼准教授、張旭芳特任助教らの研究グループは、単結晶シリコン上にダイヤモンド製トランジスタを作製し、動作を実証した。... 徳田教授らはこれまでに、単結晶...

ローム、MOSFETのオン抵抗半減 ゲートトレンチ微細化 (2020/12/17 電機・電子部品・情報・通信1)

【京都】ロームはP型金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)で、オン抵抗を同社従来品比50%以上低減し、産業機器の省エネに貢献する新シリーズの生産を始めた。

産業技術総合研究所や東北大学、台湾国家実験研究院などの日台の共同研究グループは、シリコン(Si)とゲルマニウム(Ge)を利用し、新しいトランジスタ技術として注目されている「異種チャネル相補型電界効果ト...

東芝のパワー半導体は300ボルト対応までの低耐圧の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)に強みを持つ。

エア・ウォーターは26日、高周波トランジスタ製造に最適な新しい窒化ガリウム(GaN)積層構造の開発に成功したと発表した。... 同構造を用いたトランジスタは、100度―200度Cの高温でも25度Cの常...

今後、p型有機トランジスタと組み合わせることなどにより、高速駆動可能な相補型有機デバイスを作製すれば、IoT(モノのインターネット)社会に向けた、フレキシブルな無線識別(RFID)タグなどの開発が見込...

受注が増えたスマートフォン向け半導体集積回路や産業用トランジスタなど電子部品・デバイス、普通乗用車など輸送機械ほか。

電界効果トランジスタの長期の大気安定性と優れた電子移動度も確認し、実用的な有機半導体材料として期待される。

窒化ガリウム製トランジスタ構造において、不純物などに起因する量子ドットを観測した。... 量子ドット特性はトランジスタの性能などに影響を及ぼす。これを活用すれば窒化ガリウムトランジスタの改良などにつな...

東京大学、産業技術総合研究所、物質・材料研究機構の研究グループは、数マイクロメートル(マイクロは100万分1)寸法で微細加工した有機トランジスタアレイを作製し、これまで解明されていなかった有機トランジ...

ローム、1mm角MOSFET開発 自動光学検査対応 (2020/9/29 電機・電子部品・情報・通信1)

【京都】ロームは1ミリメートル角サイズの超小型金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を開発した。

天野教授らは大電流高電圧に向く高電子移動度トランジスタ(HEMT)の構造で容量を3倍にした。

湘南工科大学の渡辺重佳教授(学長)は、平面型トランジスタの微細化の限界を克服する新しい積層型ロジックLSIの設計法を考案した。... 考案したのは、3次元積層型の縦型トランジスタ(SGT)論理回路によ...

ローム、VCSELモジュールを30%高出力 来春製品化 (2020/9/1 電機・電子部品・情報・通信)

光源のVCSEL素子と、光源を駆動する金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)素子を1パッケージにモジュール化(写真)。

GaNは、電力制御を行うパワートランジスタの半導体材料として注目されている。

トランジスタや半導体集積回路など電子部品・デバイス、ファインセラミックスなどの窯業・土石製品などが低下した。

今回、増幅器の周波数を制限する要因となっていたトランジスタの寄生容量成分をインダクタ成分で中和する「中和回路」を500ギガヘルツ帯で初めて適用。高速で高い利得を持つインジウムリン製の高電子移動度トラン...

電子移動度の速さが理論的にはシリコンの約100倍で、高速トランジスタへの応用研究が盛んだ。

半導体産業 (2020/8/3 特集・広告)

ロームは単位面積当たりのオン抵抗が業界最小のパワー半導体「1200ボルト 第4世代 SiC MOSFET(炭化ケイ素 金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)」を開発したと、6月に発表し...

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