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記事検索結果
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別の目線では、半導体はトランジスタからそれを実装するパッケージまでのスケールは1万倍に上る特異な領域だ。
SiC金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)は材料からインゴット、ウエハー、パッケージまで垂直統合を確立し、8インチウエハーの量産を実現して業界をリードする。
微細化と経済合理性を追求 半導体の高付加価値化(高機能化・低コスト化)は従前、シリコン基板上のトランジスタの微細化にあったが、2006年ごろ、その平面型構造は物理的限...
また、次世代トランジスタ構造であるゲート・オール・アラウンド(GAA)向けにも研究開発を進める。
従来、ロジックではトランジスタに電力を供給する電源線と、信号をやりとりする信号線は同じ層に形成されている。... 電源と信号を分けることで電源供給に抵抗が低い配線を利用できるため、トランジスタに電気を...
AI・人工網膜チップ開発 東北大学の田中徹教授は富士通でスーパーコンピューター「京」向けの微細トランジスタなどを開発。
北海道大学の卞志平大学院生と太田裕道教授、大阪大学の李好博助教らは、熱の伝わりやすさを電気的に切り替えられる全固体熱トランジスタの制御幅を拡大した。... 熱トランジスタの大規模化...
絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)と比べて高い周波数帯でも動作するSiCの特徴を踏まえ、タムラ製作所の電流センサーもSiC系パワー半導体の特徴である高周波に対応する。
同じ電気回路に搭載する金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を制御して、電力損失を抑制する。
三菱電機は10日、炭化ケイ素(SiC)の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)パワー半導体モジュールの新製品2製品の販売を始めたと発表した。
SiC金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)二つを1セットにしたモジュールを開発した。
独社の強みは、シリコン製の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)と、炭化ケイ素(SiC)製の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)...
パワー金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の耐圧は600ボルト。
最先端半導体のゲートオールアラウンド(GAA)トランジスタ構造や、高アスペクト比コンタクトホールの形成に役立つ分析計として訴求する。
「絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)やイメージセンサーでも競合はいる。
GAAトランジスタを積層し並列化してAI処理に必要な積和演算を実行する。... かけ算はGAAトランジスタを電流が通る際の抵抗値として、足し算は積層方向にトランジスタの電流値を足し合わせて出力する。&...
一方、AIは電気の流れを制御する部品(トランジスタ)の数が増えることで、さまざまな形で連動して動き、データがその上で走ることで脳細胞に近い働きをする。AIに搭載するトランジスタの数が圧...
