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ローム、低オン抵抗のパワー半導体車載駆動装置向け（2020/6/17 電機・電子部品・情報・通信１）

開発品は電界集中を緩和する独自のダブルトレンチ構造を進化させ、両立が難しかった短絡(ショート)耐量時間を犠牲にせず、オン抵抗を同社従来品との比較で約40%、他社従来品比でも20...

パワー半導体新潮流(5)富士電機執行役員・宝泉徹氏−海外飛躍顧客と密に（2017/12/4 電機・電子部品・情報・通信）

「電流を制御するゲート電極を垂直方向に埋め込む『トレンチ構造』を採用し、小型で電力損失を8割削減できる製品を開発した。

パワー半導体新潮流(4)ローム・伊野和英氏−次世代SiC―MOSFET、商品化（2017/11/30 電機・電子部品・情報・通信２）

「基板の中に溝(トレンチ)を掘り、ゲートを3次元的に作り込み、ソースからドレインへ電子を最短経路で流す構造だ。... ただトレンチ構造では従来、デバイスの信頼性に課題があった。そこでソ...

三菱電、パワー半導体事業 22年度売上高2000億円へ（2017/11/23 総合３）

加えて2年後をめどに、シリコンよりも高いエネルギー効率が見込める炭化ケイ素(SiC)パワー半導体で、小型・軽量化できる「トレンチ構造」の製品を投入する計画。

富士電機、SiCパワー半導体年度内に製品化電力損失8割減（2017/6/26 電機・電子部品・情報・通信）

電流を制御するゲート電極を垂直方向に埋め込む「トレンチ構造」を採用し、トランジスタ回路の幅を従来に比べ半分以下にした。... 今回、加工や洗浄条件などを改善することで、トレンチ構造を実現した。 ...

第58回十大新製品賞/モノづくり賞−ローム（2016/2/5 電機・電子部品・情報・通信２）

第2世代までのプレーナー構造を一新し、SiCでは初めてトレンチ構造を採用。... 従来のMOSFETはゲートやソースが平面上に並ぶプレーナー構造だが、トレンチ構造はゲート部分を縦方向に溝(トレ...

2015年第58回十大新製品賞(2) （2016/1/4）

【ローム/トレンチ構造採用 SiC―MOSFET】 ■オン抵抗低減で消費電力大幅減■ トレンチ(溝)構造を採用した、炭化ケイ素&#...

ローム、SiCにトレンチ構造−MOSFET、6月量産（2015/4/23）

SiCのMOSFETはプレーナー(平面)構造しか量産されておらず、トレンチ構造は業界初。... トレンチ構造はチップ表面に溝を形成し、その側壁にゲートを形成。... 現在は2世代目のM...

阪大など、高誘電率ゲート絶縁膜採用したSiCMOSFET （2012/12/12）

高効率化で次世代MOSFETとして期待されるトレンチ構造にも対応。京大とロームがトレンチ型MOSFETを試作し、その性能を実証した。