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トンネルFETで集積回路−産総研、動作速度2倍に向上確認（2016/12/5 科学技術・大学）

産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門は、シリコントンネル電界効果トランジスタ(トンネルFET)を使った新しい集積回路を開発し、動作速度が2倍に向上することを確認した。... ...

トンネルFET、MOSFETの10万倍以上長寿命−産総研実証（2014/12/17）

産業技術総合研究所は、次世代の省電力デバイスとして有望なトンネルトランジスタ(トンネルFET)が、従来の電界効果トランジスタ(MOSFET)に比べて10万倍以上長寿命で...

東京大学大学院工学系研究科の高木信一教授らは、低電圧で動作する新構造のトンネル電界効果トランジスタ(トンネルFET)を開発した。トンネルFETとは、半導体中のエネルギー障壁を越えてトン...

産総研、シリコン製トンネルFETの動作速度を10倍超に（2014/6/10）

産業技術総合研究所は、LSIを低消費電力化できるシリコン製のトンネル電界効果トランジスタ(トンネルFET)の動作速度を10倍以上早める技術を開発した。... 通常のシリコントンネルFE...

東大、0.3ボルトの超低電圧で動作するトンネルFETを開発（2013/12/27）

東京大学工学系研究科電気系工学専攻の高木信一教授、竹中充准教授は、0・3ボルト程度と超低電圧で動作するトンネル電界効果トランジスタ(トンネルFET)を開発した。... トンネルFETは...

産総研、トンネルFET開発−動作電流、最大100倍（2013/6/13）

産業技術総合研究所は従来比10―100倍の動作電流が得られる新構造のトンネル電界効果トランジスタ(トンネルFET)を開発した。... トンネルFETは電子のトンネル効果を利用したトラン...

産総研、トンネル電界効果素子の回路設計用動作モデルを開発（2012/9/26）

トンネルFET設計用の素子動作モデルの開発は初めて。... トンネルFETはスイッチングに、電子が存在しないトンネル電流を利用することで、素早いオン・オフの切り替えを実現するトランジスタのこと。...