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エヌエフ基金、若手研究者10人に奨励賞都内で発表会・表彰式（2023/12/5 科学技術・大学）

優秀賞は理化学研究所創発物性科学研究センターの野入亮人氏による「シリコン量子ドット中の電子スピンを用いた誤り耐性量子コンピュータの基盤技術開発」(新価値創成分野)と、大阪大学大学院工学...

堀場製作所、堀場雅夫賞の受賞者決定（2023/8/22 科学技術・大学）

今回の選考テーマは「次世代半導体デバイスの開発に貢献する分析・計測技術」。... 【堀場雅夫賞】▽京都大学大学院工学研究科電子工学専攻の石井良太助教「超ワイドギャップ半導体の基礎光物性解明と新機能性発...

材料進化の最前線 NIMS最新成果(118)ダイヤモンド成長、量子デバイス高感度... （2022/1/26 科学技術・大学）

(水曜日に掲載) ◇物質・材料研究機構(NIMS) 機能性材料研究拠点電気・電子機能分野ワイドギャップ...

材料進化の最前線 NIMS最新成果(47)ダイヤ素子、高速・低損失化へ（2020/7/15 科学技術・大学）

【ワイドギャップ】ダイヤモンドが次世代半導体の材料として期待を集めている。... すでにワイドギャップ半導体として実用化が始まっている炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリ...

技術で未来拓く・産総研の挑戦(118)次世代パワーモジュール（2020/3/26 科学技術・大学）

現在シリコン(Si)パワー半導体が主流だが、材料の限界のため性能向上が難しくなっている。産業技術総合研究所(産総研)では、Siパワエレを超える性能を...

エヌエフ基金、研究開発奨励賞受賞者10人決定（2019/11/21 科学技術・大学）

▽石井良太(京都大学)「超ワイドギャップ半導体光物性を可視化する深紫外近接場光学顕微鏡の開発」▽井上正樹(慶応義塾大学)「人と調和するエネルギー管理システム設計論」▽今...

材料進化の最前線 NIMS最新成果(17)既存物質の純度、原子レベルで極める（2019/10/30 科学技術・大学）

【ダイヤモンド】ワイドギャップ半導体グループ・寺地徳之主席研究員は、不純物の濃度が1ppb(ppbは10億分の1)を下回る世界最高純度の単結晶ダイヤモンド基板の作製...

ふくおかフィナンシャル企業育成財団、助成先10社決定（2014/1/16）

▽隼(鹿児島県霧島市)=黒壺(つぼ)もろみのヒトにおける機能性評価および品質向上の検討▽テッツコーポレーション(北九州市八幡西区)=金属...

情通機構など、酸化ガリ素子を開発−損失3000分の1以下（2013/6/20）

24日から米ノートルダム大学で開かれる半導体デバイスに関する国際会議(DRC2013)で発表する。酸化ガリウムはシリコンカーバイド(SiC)や窒化ガ...

工作機械技術振興財団、振興賞と研究助成対象23件を選定（2013/6/4）

(敬称略) 【振興賞・論文賞】▽「銅の超平滑化技術に関する研究ナノバブル水と真空紫外光を用いた仕上げ研磨」桐野宙治、榎本俊之(ク...

これらはワイドギャップ半導体と称され、これらを用いたパワー素子は低損失性、高速動作性、高耐圧性などがSiパワー素子よりも1―2ケタ以上高い。... ワイドギャップ半導体がもつ優れた素子性能を生かすため...

情報通信研究機構は5日、タムラ製作所と光波と共同で半導体材料に酸化ガリウム単結晶基板を用いたトランジスタを開発したと発表した。... 電力機器向け半導体素子のパワーデバイスに応用した場合、より効率的で...

ナガセインテグレックス、1日にコスト革新技術で講習会（2011/7/27）

「ワイドギャップ半導体の研削・割断加工」「金型の高寿命化・高機能化」「大物・長物の超精密複合加工」の3部構成。

安藤研究所、安藤博記念学術奨励賞の受賞者決定（2010/5/18）

(敬称略) ▽大久保寛・首都大学東京准教授「超高速解析手法を用いた超音波イメージングに関する研究」▽加藤正史・名古屋工業大学准教授「ワイドギャップ半導体省エネルギーデバイス実用...

東北大学多元物質科学研究所、結晶成長技術シンポ（2009/11/11）

「ワイドギャップ半導体の結晶成長技術」をテーマに産学の研究者らが9件の研究成果を発表する予定。

大阪工大、酸化亜鉛トランジスタ用いたバイオセンサー開発（2008/1/8）

酸化亜鉛は窒化ガリウムなどのワイドギャップ半導体に比べ低温で成膜できる利点がある。