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記事検索結果
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デバイス創成・高性能化 【MRAM開発】 最近、垂直磁化型磁気ランダムアクセスメモリー(MRAM)が念願の販売開始となった。垂直磁化型MRAMは、低...
これらは、基本構造となる磁気トンネル接合(MTJ)素子に情報を記録する際、磁性膜に対して水平に磁化させる「面内磁化方式」を使う。 だがその後、水平ではなく、垂直に磁化...
産総研スピントロニクス研究センターの薬師寺啓金属スピントロニクスチーム長らは、STT―MRAMに使われる垂直磁化トンネル磁気抵抗(TMR)素子に、イリジウム層と極めて薄いコバルト層から...
開発したのは、垂直方向に磁化を記録する同社開発の垂直磁化方式STT―MRAMをベースに、メモリー構造を改良し、30ナノメートル(ナノは10億分の1)以下まで素子を微細化した。
豊橋技科大のグループは光メモリーの一種である光磁気ディスク(MO)に使われる垂直磁化膜に着目。3次元画像の表示には垂直磁化膜が必要と考え、結晶構造を持たない鉄とテルビウムの合金で、厚さ...
物質・材料研究機構は6・1ナノメートル(ナノは10億分の1)径の微粒子状にした鉄と白金の合金を均一に分散させ、ハードディスク駆動装置(HDD)の新方式の記憶方式に使える...
【仙台】東北大学電気通信研究所の池田正二准教授と大野英男教授のグループは日立製作所と共同で、高いメモリー容量と不揮発性を兼ね備えた垂直磁化トンネル磁気抵抗(TMR)素子を開発した。.....
記憶素子となる垂直磁化方式のトンネル磁気抵抗素子(TMR素子)を改良し、従来方式の約100倍の5ギガビット(ギガは10億)を超える大容量スピンRAMを実現可能にした。....
群馬大学と高輝度光科学研究センターは兵庫県立大学と共同で、現行ハードディスク(HD)の磁気記録方式で採用される垂直磁化膜が、物質が化学結合したときの形に起因することを突き止めた。......
電圧をかけるとトンネル電流が流れ、磁性体の磁化が平行の時に抵抗が小さくなり、そうでないときに抵抗が大きくなる原理を利用、1と0を規定する。... 日本発の垂直磁化方式という技術を使い、素子幅を狭くする...
岩崎氏は77年に、媒体の垂直方向の磁化を利用して高密度に記録できることを発見した。... 「発明者として責任を感じ、模索の結果、垂直磁化を用いる究極の3次元記録に到達した」という。 ... 0...
磁化の向きを固定する新材料の垂直磁化膜と組み合わせれば、約10ギガビット(ギガは10億)の大容量MRAMが実現できるという。... 今回、コバルト・鉄・ボロンを使った一般的な面内磁化膜...
九州大学の能崎幸雄准教授は、1秒間に10億回以上の割合で強度が周期的に変化する「マイクロ波磁界」を使い、ハードディスク(HD)の大容量化に不可欠な垂直磁化膜を磁化反転することに成功した...
NECとNECエレクトロニクスは、磁性体に対して垂直な磁力を持つ垂直磁化を使う新しい書き込み方式で、システムLSIの組み込みに適した高速な不揮発性磁気メモリー(MRAM)を開発した。
「3年前の文部科学省の調査では、日本の大きな基礎研究がブレークスルーして効果をおよぼす時間は、液晶や垂直磁化、光触媒などの場合、花が開くまで30年以上かかっている。
