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米大など、RRAMベースのエッジAIチップ開発省エネ・推論性能高める（2022/8/24 科学技術・大学）

米国のスタンフォード大学とカリフォルニア大学サンディエゴ校(UCSD)、中国・清華大学などは共同で、不揮発抵抗変化メモリー(RRAM)を使い人工知能(AI...

科学技術の潮流(33)SCM、究極のメモリー目指して（2019/11/29 科学技術・大学）

解決策の一つが、現在国内外で研究開発が活発に行われている「高性能なストレージクラスメモリー(SCM)」である。... さらに低消費電力化の実現のため、電源供給なしでデータを保持できる不...

産総研と筑波大、抵抗変化メモリーの挙動を電流ノイズから解明に成功（2017/1/16 科学技術・大学）

産業技術総合研究所は筑波大学と共同で、不揮発性メモリーの一種である抵抗変化メモリー(ReRAM)の挙動を電流ノイズから解明することに成功した。... 振動や温度差などを利用した環境発電...

神戸大学は低電圧の環境発電技術(エナジーハーベスティング)、中央大学はIoT向け抵抗変化メモリー(ReRAM)のコンバーターをそれぞれ発表する。

発明協会、発明表彰受賞者決まる（2012/5/21）

特許登録3年以内の発明を対象にした21世紀発明賞には、遷移金属酸化物型抵抗変化メモリの基本技術を発明した石田実ソニー半導体事業本部研究開発部門課長ら4人を選定した。

産業技術総合研究所は導電性を持つ酸化物の強誘電体を使った、新型の抵抗変化メモリー(ReRAM)を開発した。... ReRAMは構造が単純で素子の面積を小さくでき、電気抵抗の変化が大きい...

阪大、抵抗変化メモリーの電子の通り道解明（2011/9/8）

大阪大学の笠井秀明教授らは抵抗変化メモリー(ReRAM)の電子の通り道である伝導パスが形成される仕組みを突き止めた。... ReRAMは不揮発性メモリーの一つで、遷移金属酸化物層を金属...

産総研・シャープなど、RRAM素子を開発（2010/5/19）

産業技術総合研究所とシャープ、アルバック、金沢大学の共同チームは18日、電源を切ってもデータが消えない不揮発性の抵抗変化メモリー(RRAM)素子を開発し、8インチウエハー上に128キロ...

内藤科学技術振興財団、今年度の研究助成金交付先6件を決定（2009/6/30）

▽大塚貴弘名城大学理工学部准教授=建築鋼構造部材に対する局部座屈を考慮したはり要素モデルの開発▽栗濱忠司中部大学工学部教授=新しい強誘電体と超伝導体の設計と物性評価に関する研究▽橋井光...

産業技術総合研究所はシャープと共同で、実用的な高速動作の不揮発性抵抗変化メモリー(RRAM)を開発したと25日発表した。... RRAMは酸化膜を金属電極で挟んだ構造で、酸化膜の電気抵...

半導体メーカー、2012年以降実用化へ次世代メモリー開発（2008/7/17）

NECと富士通の両グループ、東芝などは磁気抵抗を用いた「MRAM」の研究開発を進めるほか、エルピーダメモリは相変化膜を用いた「PRAM」に的を絞りつつある。... 富士通研究所と富士通マイクロエレクト...