岩崎通信機は炭化ケイ素（ＳｉＣ）や窒化ガリウム（ＧａＮ）などのパワー半導体の開発向けに、最大ピーク電流２キロアンペアで測定する半導体カーブトレーサー「ＣＳ―８０００シリーズ＝写真」３機種を発売した。

【京都】ロームは７日、炭化ケイ素（ＳｉＣ）パワーデバイスの生産増強を目的に建設していた筑後工場（福岡県筑後市）の新棟が完成したと発表した。

デンソーは、次世代半導体の炭化ケイ素（ＳｉＣ）パワー半導体を使った新型パワーモジュールを開発。

低損失で温度変化に強く、電気自動車（ＥＶ）などで採用が進む炭化ケイ素（ＳｉＣ）パワーデバイスの技術開発などに取り組む。

研磨剤スラリーを使用しない半固定砥粒研磨工具「ＬＨＡパッド」は、電気自動車（ＥＶ）や第５世代通信（５Ｇ）などの進展で需要増が見込まれるパワー半導体の炭化ケイ素（ＳｉＣ）などを研磨する工具だ。 ...

岩崎通信機は３０日、炭化ケイ素（ＳｉＣ）や窒化ガリウム（ＧａＮ）などの化合物半導体デバイスの評価に特化し、同社初となる最大入力８チャンネルのオシロスコープ「ＤＳ―８０００シリーズ＝写真」全６機種を発売...

汎用的で塑性変形しにくいチョクラルスキーシリコン基板を下地にし、独自の成膜技術で炭化ケイ素（ＳｉＣ）薄膜とＧａＮの厚膜を形成させる（写真）。

既存の機械加工では難しい炭化ケイ素や窒化ガリウムなどの脆性材料を容易に加工できる。

シリコンだけでなく、小型基板が主流となっている炭化ケイ素（ＳｉＣ）や窒化ガリウム（ＧａＮ）などの化合物半導体ウエハーにも対応できる。

既存の回転工具による加工が難しいサブミクロンオーダーや、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）などの脆性材の加工に対応する。

次世代の炭化ケイ素（ＳｉＣ）パワー半導体で成果を前倒して性能やコスト面で先行できそうだ。

ＧａＮ、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）などの化合物半導体を使う５Ｇ通信用デバイス、パワーデバイス、マイクロＬＥＤ向けが好調で、各装置の売上高のうち化合物半導体向けが８割程度を占めた。&...

ＮＴＴは東京工業大学の小山二三夫教授と共同で、高い熱伝導率を持つ炭化ケイ素（ＳｉＣ）基板上にインジウムリン系化合物半導体を形成した薄膜構造のレーザー（メンブレンレーザー）を開発した。

三菱電機は炭化ケイ素（ＳｉＣ）チップのみを使った産業機器用フルＳｉＣパワー半導体モジュール（写真）９品種を２０２１年１月から順次発売する。

自動車のブレーキ用などに炭素繊維と炭化ケイ素（ＳｉＣ）の複合材料から供給を始める。... ＮＩＴＥ法は炭化物の微細粉末を泥状にしたスラリーに炭化物繊維を浸したプリプレグシートを作り、それを重ねた中間素...

日本と同様に車載向け炭化ケイ素（ＳｉＣ）パワー半導体などの需要に期待できる欧州で「ＩＷＡＴＳＵ」ブランドを浸透させる。

【北九州】高田工業所は、炭化ケイ素（ＳｉＣ）ウエハーやセラミックス基板などの難切材を高速切断する超音波カッティング（ダイシング）装置を刷新、「ＣＳＸ５０１」として１２月に発売する。

【名古屋】豊田バンモップス（愛知県岡崎市、田渕一雄社長、０５６４・４８・５３１１）は、高性能パワー半導体向けに需要拡大が期待される炭化ケイ素（ＳｉＣ）ウエハー用に、表面粗さ１ナノメートル（ナノは１０億...

中でも従来のシリコンウエハーを使用したパワー半導体に加えて炭化ケイ素（ＳｉＣ）や窒化ガリウム（ＧａＮ）といった材料を使用したパワー半導体が注目を集めている。

ロームは単位面積当たりのオン抵抗が業界最小のパワー半導体「1200ボルト　第4世代　SiC　MOSFET(炭化ケイ素　金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)」を開発したと、6月に発表し...