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トンネルFETで集積回路−産総研、動作速度2倍に向上確認（2016/12/5 科学技術・大学）

産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門は、シリコントンネル電界効果トランジスタ(トンネルFET)を使った新しい集積回路を開発し、動作速度が2倍に向上することを確認した。低電圧で...

千葉工大など、600度Cでも機能維持する不揮発性メモリー素子を開発（2016/10/17 科学技術・大学）

千葉工業大学工学部の菅洋志助教は、産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門の内藤泰久主任研究員、物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス研究拠点の塚越一仁主任研究者と共同で、白金のナノギャッ...

筑波大と産総研、相変化メモリー高速化−メカニズム解明（2015/9/28）

筑波大学数理物質系の長谷宗明准教授、産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門の富永淳二首席研究員らのグループは、現在の記録型DVDや、次世代の不揮発性固体メモリーとして期待されている「相変化メモ...

産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門の森貴洋新材料・機能インテグレーショングループ研究員らは、多結晶膜の新しい形成技術を開発し、n型の多結晶ゲルマニウムトランジスタの電流駆動力を従来比10倍...

産総研など、電子移動度を倍に向上（2014/1/15）

産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門の入沢寿史特定集中研究専門員らは、東京工業大学、住友化学と共同で、電子の流れやすさを示す電子移動度を従来比2倍に向上させた、新構造のインジウム・ガリウムヒ...

産総研、トンネル電界効果素子の回路設計用動作モデルを開発（2012/9/26）

産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門の連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンターの福田浩一研究員らは、トンネル電界効果トランジスタ(FET)の回路設計用の素子動作モデル...

産総研のR&D(84)ミニマルファブ構想（2011/11/24）

2010年1月にはミニマルファブ構想に賛同する企業26社、4大学、1公設研(公設試験研究機関)とともに「ファブシステム研究会」を設立した。... 《産業技術総合研究所ナノエレ...