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情報の流通量が急増する中、メモリー各社では積層構造にして記憶容量を高める3次元(3D)NAND型フラッシュメモリーや立体構造トランジスタ(FinFET)の需要が活性化。

経営ひと言/大陽日酸・小林邦裕執行役員「見極めが重要」（2017/10/3 素材・ヘルスケア・環境）

半導体の微細化・立体化を受け、特殊ガスのジボランが注目を浴びている。一時は需要減で廃れかけたが、3次元(3D)構造のNAND型フラッシュメモリーの登場で戦略製品に“...

活況!半導体材料/キーパーソンに聞く(3)大陽日酸執行役員・小林邦裕氏（2017/9/20 素材・ヘルスケア・環境）

「3次元(3D)構造のNAND型フラッシュメモリーや立体構造トランジスタ(FinFET)をけん引役に、材料ガスも3000億円程度の伸びを見込んでいる。立体化で工程が複雑...

米GF、日本で売上高倍増狙う車・モバイル向け受託製造を拡大（2017/6/1 電機・電子部品・情報・通信１）

先端半導体では2018年4―6月期に回路線幅7ナノメートル(ナノは10億分の1)の立体構造トランジスタ(FinFET)を投入する。... 中国・成都では18年にFD―S...

いずれも最新のフィン型の立体構造トランジスタ(FinFET)を採用する。

筑波大学大学院の大毛利健治准教授らは、次世代トランジスタである立体構造のナノワイヤ型トランジスタが、従来構造(プレーナ型)のトランジスタに比べて雑音強度を抑制できることを見つけた。.....

東芝は6日、2013年以降の実用化が見込まれる20ナノメートル世代(ナノは10億分の1)以降の高性能LSIの実現に向け、立体構造トランジスタの性能を高める技術を開発したと発表した。ナノ...

同ワイヤはシリコンに代わる有望な半導体材料で、次世代の縦型立体構造トランジスタや、高効率の太陽電池へ応用が進むと期待される。... ゲルマニウムをワイヤ構造にすれば縦型のトランジスタが作れるため、集積...

(藤木信穂) 東芝は、立体構造トランジスタを使った16ナノメートル世代(ナノは10億分の1)以降のLSI技術を17日の「技術シンポジウム」で発表する。... 東...

産総研、22ナノ世代向けSRAM回路を開発（2008/12/18）

産業技術総合研究所は2013年以降に実用化が見込まれる22ナノメートル世代LSI向けの立体構造トランジスタで、素子の特性がバラついても安定的に動作する新型SRAM回路を開発した。... FinFETと...

東芝・IBM・AMD、世界最小面積のSRAMセルを開発（2008/12/18）

東芝と米IBM、米AMDの3社は17日、フィン型の立体構造トランジスタ(FinFET)を使って、世界最小面積のSRAMのセル(最小構成要素)を共同で開発したと発表した。...

シーテックジャパン2008、有機ELなど最先端を走る研究続々（2008/10/6）

東芝はSiC素子のほか、立体構造トランジスタのひずみ印加技術、大容量の磁気抵抗ランダムアクセスメモリー(MRAM)技術などを展示した。... 大学発としては今回、東北大学が新型の立体デ...

東芝は18日、32ナノメートル世代(ナノは10億分の1)以降のLSIに向け、次世代の素子構造として期待される立体構造トランジスタ(FinFET)の消費電力を3分の1以下...