- トップ
- 検索結果
記事検索結果
200件中、1ページ目 1〜20件を表示しています。 (検索にかかった時間：0.005秒)
有機金属気相エピタキシャル成長(MOVPE)法などでナノワイヤを結晶成長させ、異種材料を均一に並べる集積技術に強みを持つ。
GaN層の結晶成長中に共振波長を計測して膜厚を管理する。従来は別の実験で成長速度を確かめてから結晶成長していた。成長中に計ることで膜厚の制御精度が向上した。
結晶成長や成膜、エッチングなどを数百工程繰り返して製造するなど、「製造プロセスでさまざまな工夫をしている」(同社)のが強みだ。
同社が培った結晶成長や精密光半導体加工といったレーザー製造技術を生かした導波路設計の最適化により、超小型狭線幅波長可変光源の高出力化を達成した。
高品質な単結晶のn型ダイヤモンド半導体の成長技術をベースにn型チャネルMOSFETを開発。低濃度のリンを添加した、原子的に平坦な表面を持つn型ダイヤモンドの結晶成長に成功した。
それを実現し持続的な成長軌道に乗るためには、生産性向上や脱炭素化の推進などが欠かせない。... これまで日本製鋼所と共同でGaN基板の量産に向けた結晶成長の実証実験などに取り組んできた。 &#...
レゾナックやセントラル硝子などが高品質な単結晶の量産技術確立に挑む。 ... Si基板上にGaNを結晶成長させる「GaNオンSi」で生じやすい反りやクラック(ひび割れ)...
この酸化膜のピンホール底のシリコン基板結晶からインジウムヒ素の単結晶核を作り、そこから高さ方向に成長したナノワイヤが形成されたことを確認した。... 微小な半導体結晶内で異なる性質が現れる「量子サイズ...
この要請に応えるため、新しい発光材料の物質設計や、発光体の効率を低下させる不純物や結晶欠陥の低減に尽力してきた。... 専門は結晶成長、電子物性研究を基礎とした電子材料開発。
東京農工大学の熊谷義直教授らは大陽日酸と共同で、次世代パワー半導体向け材料として期待される高純度のβ型酸化ガリウム結晶の高速成長を、有機金属気相エピタキシャル成長(MOVP...
信越化学工業とOKIは、窒化ガリウム(GaN)成長用の複合材料基板からGaN機能層のみを剝離し、異種材料基板に接合する技術を共同開発した。... 信越化学は米クロミスからライセンスを取...
PDSの北九州R&Dセンターでは、高電圧制御や省エネ効果に優れる同半導体の結晶成長やプロセス技術を両大学が連携して研究開発する。
東京工業大学の峰村大輝大学院生と庄司雄哉准教授、産業技術総合研究所の高磊主任研究員らは、磁気光学結晶薄膜部品を樹脂フィルムに貼り付けて載せ替える転写技術を開発した。... まず基板...
名古屋大学の原田俊太准教授らは京都大学発ベンチャーのAnamorphosis Networks(京都市下京区)と共同で、結晶成長プロセスの制御自動化アルゴリ...
窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)を発光層とする深紫外線LEDにおいて、結晶成長時に電子ブロック層中に取りこまれた水素は、“かさぶた”のように空孔型点欠陥クラスターをふさぎ、これを...
昇華法とは、不活性ガスを充填させた炉内でSiC原料を高温で昇華させ、上部のSiC種結晶に成長させる方法である。... 結晶成長に温度差を利用する昇華法に対し、溶液成長法は炭素濃度差により結晶成長を行う...
新規のp型半導体「酸化イリジウムガリウム」の成膜工程に使うことで結晶の成長速度を従来比10倍以上とし、埋込性の改善にも寄与する。... 新しい成膜材料は、結晶成長の際にトレンチ内部における成膜安定性と...
シリコンウエハー上にガリウムの液滴を作り、液滴にガスのヒ素が取り込まれるとガリウムヒ素の針状結晶が伸びる。 ガリウムが結晶の核や結晶成長を促す触媒として働く。... ガリウ...
