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NTT、世界初の窒化アルミ電界効果トランジスタ 高温高耐圧パワー半導体に道 （2022/4/25 科学技術・大学）
絶縁破壊電圧は1700ボルトと大きく、500度Cの電流値は100万倍のオンオフ比を実現した。... ここで微量のシリコンを添加すると絶縁体の窒化アルミが半導体になる。... トランジスタの絶縁破壊電圧...
長岡技科大、フィラー短時間の高電圧で柱状配列−ナノ秒パルス電源作製 （2015/9/25）
「ナノ(ナノは10億分の1)秒パルス電源」を作製し、高電圧を瞬間的にかけることで樹脂が壊れないよう工夫を施した。... 配向性を高めるには高い電場が必要だが、絶縁体の破壊が起こる。.....
テクノ編集局(118)パワー半導体−省エネの“縁の下の力持ち” （2011/10/13）
ウエハーをこれ以上薄くすると、電圧をかけた時に壊れてしまうからだ。 ... バンドギャップとは電圧を保持するための幅のことを指す。... これらの材料のバンドギャップはシリコンに比べ...
