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記事検索結果
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シリコン表面の酸化膜は非結晶のため、酸化膜の上で結晶を成長させることは難しい。... シリコン酸化膜上にPLZTと結晶格子の合うシード層を形成し、その上にPLZTの配向結晶を成長させる。
ロイック・ペコンドン・ラクロワ社長は、ABBがグローバルで企業連携により二酸化炭素削減を進めていくための非営利組織による活動「エナジー・エフェシィエンシー・ムーブメント」を紹介。... SiC金属酸化...
最近、すべて相補型金属酸化膜半導体(CMOS)で構成した300ギガヘルツ(ギガは10億分の1)帯向けのテラヘルツ送信機を開発したほか、CMOS製の送受信ICで世界最速と...
10年以上前に開発した相補型金属酸化膜半導体(CMOS)製の3Dイメージセンサーは、180ナノメートル(ナノは10億分の1)世代、90ナノ世代と、それぞれ最適な製造技術...
東京大学の立川冴子大学院生(研究当時、現産業技術総合研究所研究員)、同大生産技術研究所の野村政宏教授らの研究グループは、シリコン膜の表面をわずかに酸化させるだけで「...
すでに相補型金属酸化膜半導体(CMOS)イメージセンサーや3DNAND型フラッシュメモリーなど一部の半導体デバイスで実用化が進む。
イメージセンサーの上下の積層部に、高速処理回路を配置した独自の部分積層型CMOS(相補型金属酸化膜半導体)センサーと、同社のフラッグシップ(旗艦)モデルと同じ画像処理エ...
富士通はダイヤモンドスピン量子が4K(マイナス約269度C)で動く特性を生かし、「クライオ相補型金属酸化膜半導体(CMOS)」と呼ぶ、半導体技術で配線問題の克服に挑む。
アロマビット(東京都中央区、黒木俊一郎社長)は、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)型におい可視化センサーデバイス「e―Nose型ニオイ可視化センサー...
同じ電気回路に搭載する金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を制御して、電力損失を抑制する。
このコンセプトを、22ナノメートル(ナノは10億分の1)の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)プロセスで設計、試作した半導体集積回路上に実装し、有効性を実証した。
三菱電機は10日、炭化ケイ素(SiC)の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)パワー半導体モジュールの新製品2製品の販売を始めたと発表した。
SiC金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)二つを1セットにしたモジュールを開発した。
独社の強みは、シリコン製の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)と、炭化ケイ素(SiC)製の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)...
パワー金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の耐圧は600ボルト。
同検査機「SE100」は高解像度の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)カメラを搭載し、高輝度白色3段発光ダイオード(LED)照明と同軸照明を用いて、画像分解能が11・5マ...
水蒸気を用いたプラズマ処理法「アクアプラズマ」は、半導体製造の金属酸化膜の還元用途以外にも新規の展開先を模索する。
【京都】ロームはスマートフォンや小型IoT(モノのインターネット)機器など向けに相補型金属酸化膜半導体(CMOS)オペアンプ「TLR377GYZ&#...
