実験ではPEDOT置換体からテトラシアノキノジメタン置換体へ電子が移動する割合が0・69と中途半端に制御でき、室温伝導度が同0・10ジーメンスになった。電子移動率が1になると電気は流れない。 ...

参加者は、材料のX線回折(XRD)とX線光電子分光(XPS)のデータを持ち寄って類似度マップを作る。... XRDは物質の結晶構造を反映したスペクトル(波形デー...

【京都】ロームは同社の650ボルト耐圧窒化ガリウム(GaN)パワー半導体デバイスが、台湾デルタ電子の45ワット出力ACアダプターに採用された。... ロームの650...

量子デバイス製造容易に 量子科学技術研究開発機構の河裾厚男上席研究員らは、高電子伝導材料のヒ素化タンタルはタンタルが理想比率から多くなっても物性が損なわれないことを発見した。... ...

研究チームはインジウムリン系の高電子移動度トランジスタを使ったテラヘルツ波検出素子において、新たな検出原理「プラズモニック3次元整流効果」が発現することを発見。

ベンゾキノンを用いたプロトン共役電子移動反応で有機半導体中に正孔や疎水性陰イオンを注入する。ベンゾキノン水溶液に有機半導体薄膜を漬けると、薄膜から電子が引き抜かれて溶液中のプロトンと合わさってベンゾキ...

東京大学の岡本敏宏准教授(現東京工業大学教授)、竹谷純一教授らは、高い電子移動度を持ち、大面積に塗布可能なn型有機半導体を開発した。... 既存のn型有機半導体の結晶構造を保ちつつ、従...

また熱アニールにより厚さ5ナノメートル以上では結晶化や高い電子移動度の実現に成功した。高透過率や高電子移動度などの電気・光学特性の大幅な増大や折り曲げできる新規の機械特性、高熱伝導など熱特性の大幅向上...

窒化ガリウム(GaN)を用いた高電子移動度トランジスタを採用することで小型化につなげるとともに、高効率・低待機電力を達成した。... 電子を高速に移動できるGaNパワー半導体などにより...

同社初となるSiP製品、パワーステージICは650ボルト耐圧のGaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)と同HEMTを最適に駆動させる専用ゲート駆動IC、周辺部品を一つのパッケージに同...

電源などを手がける台湾のデルタ電子の関連会社と、650ボルト耐圧のGaN製高電子移動度トランジスタ(HEMT)を共同開発し、量産を始めた。... デルタ電子の関連会社、アンコラセミコン...

三菱電機はLow―Ku(13ギガヘルツ、ギガは10億)帯の周波数で動作する衛星通信地球局向け窒化ガリウム製高電子移動度トランジスタ(GaN HEMT...

正孔を流すp型FETと組み合わせるとフレキシブルな電子回路につながる。 ... 配向性は高く、方向によって電子移動度が3倍変化した。 ポリマー半導体で電子回路を作る...

電子移動度が1ボルト秒当たり133平方センチメートルと市販のITOの6倍以上になった。電子移動度が高いと電子密度が低くても抵抗を抑えられる。市販の低抵抗ITOに比べて電子密度が4分の1のため赤外光を反...

デオキシリボ核酸(DNA)内の電子移動と、蛍光の点滅現象に着目。... DNA内の電子移動は以前から知られており、数々の研究が行われてきた。またDNAの配列により、電子移動の速度が変わ...

OLEDのバックプレーンには電子移動度の高いLTPSなどが使われているが、G8でLTPSを本格的に作れているところはない。

スイスのSTマイクロエレクトロニクスは、窒化ガリウム(GaN)製の高電子移動度トランジスタ(HEMT)を搭載した電源機器用集積回路(IC&#...

データセンターなどの電源システム向けに、600ボルト耐圧のGaN製高電子移動度トランジスタ(HEMT)を共同開発する。デルタ電子は電源メーカー。... 共同開発するGaNデバイスはデル...

結晶の欠陥を抑制して電子移動度を高めた。

(木曜日に掲載) 産総研 ゼロエミッション国際共同研究センター 人工光合成研究チーム 上級主任研究員&...