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EUV露光は回路線幅7ナノメートル(ナノは10億分の1)以下の微細プロセスに対応する最先端の半導体加工技術。... (横浜・青柳一弘) 【製品プロフィ...
25年度には元の成長軌道に戻る」 ―極端紫外線(EUV)露光用フォトマスクブランクスの好調は継続しますか。 ... 23年度の売り上げは前年度比40...
レーザーテックは、自社開発の高輝度極端紫外線(EUV)プラズマ光源を標準搭載したEUV露光用マスクパターン欠陥検査装置「ACTIS A300」の受注を始めた...
【横浜】レーザーテックは自社開発の高輝度極端紫外線(EUV)プラズマ光源を標準搭載したEUV露光用マスクパターン欠陥検査装置「ACTIS A300=...
レーザーテックは半導体向け極端紫外線(EUV)露光用パターン付きマスクの欠陥を高感度で検出できる高輝度EUVプラズマ光源「URASHIMA(ウラシマ)...
結果、ウシオ電機が扱う露光用ランプや露光装置の2023年4―6月期の販売実績は前年同期比で減少した。 ただ、露光装置の売り上げが23年度の後半に偏ることなどを念頭に「下期の業績回復を...
EUV露光用部材増強 ―事業環境の認識は。 ... (中国の需要に対し)今後どのようなサプライチェーン(供給網)...
AGCは27日、半導体向けの極端紫外線(EUV)露光用フォトマスクブランクスの生産能力について、2025年までに現在と比べ約30%増にすると発表した。
半導体部材、技術革新に挑む 全額出資子会社のAGCエレクトロニクス(福島県郡山市)が生産する半導体向けの極端紫外線(EUV)露光用フォトマスクブランク...
AGCは25日、最先端の半導体製造プロセスである極端紫外線(EUV)露光用部材の生産能力を2024年までに現在の2倍に増強すると発表した。... AGCの...
半導体に回路パターンを焼き付ける露光工程向けの感光材「フォトレジスト」は、液浸フッ化アルゴン(ArF)露光などに対応する最先端製品の生産能力を19年度比2・25倍に引き上げる。... ...
これを受け、半導体メーカーがEUV露光の適用レイヤー(層)数を増やし、露光装置の導入を拡大する公算が大きい。... 例えば、レーザーテックは、光源にEUVを使ったEUV露光用フォトマス...
中国との技術覇権争いを繰り広げる中で、軍事用を含めた半導体の重要性を再認識してサプライチェーン(供給網)の見直しに乗り出した。 ... レーザーテックは、光源にEUV...
極端紫外線(EUV)露光用レジスト原料の事業が成長し始めた。 ... ただ今の主流はあくまでフッ化アルゴン(ArF)露光用。
特に需要が高まっているのが、光源にEUVを使ったEUV露光用フォトマスク(半導体回路の原版)の欠陥検査装置で、同社が100%のシェアを持つ。従来EUV露光用マスクの検査では、主...
放射光施設のほか分光分析など先端研究分野、産業分野では半導体露光用フォトマスク検査や自動車ヘッドランプの配光測定などの需要を見込む。
AGCは27日、半導体の生産工程で用いる消耗部材の極端紫外線(EUV)露光用フォトマスクブランクス(写真)の生産能力を現状の2倍程度に引き上げると発表した。
2019年には最先端の半導体加工技術である極端紫外線(EUV)露光用マスクパターンの欠陥検査装置(写真)を開発。
