トッパンフォトマスク(東京都港区、二ノ宮照雄社長)は7日、米IBMと極端紫外線(EUV)リソグラフィーを使用した2ナノメートル(ナノは10億...

不揮発性メモリーなどを3500万個搭載した線幅14ナノメートル(ナノは10億分の1)のチップを試作した。既存のAIチップに比べて約14倍の電力効率を実現するなど、AI処理で課題となる低...

回路線幅14ナノメートル(ナノは10億分の1)に対応するが、今後さらなる微細化を目指す。

回路線幅14ナノメートル(ナノは10億分の1)以下の先端半導体に対応する装置が対象。... 中国外交トップの王毅政治局員は14日に林芳正外相と会談し、日中関係の改善に期待を示した。

回路線幅14ナノメートル(ナノは10億分の1)以下の先端半導体に対応する装置が管理の対象で、輸出は許可制になる。

回路線幅14ナノメートル(ナノは10億分の1)以下のロジック半導体などの製造に関する装置を追加。

ここで言う先端半導体には、回路線幅16ナノメートル(ナノは10億分の1)もしくは同14ナノメートル以下のロジック半導体が含まれる。 &#...

関係者らによると、14ナノメートル以下の先端半導体を製造する中国メーカーに対し、同省の許可を得なければ、装置販売を禁じる。

まずは線幅40ナノメートルの技術を用いて、100ニューロンの1万シナプスが入った3ミリメートル角のチップを試作した。... 製造コストは線幅14ナノメートルのプロセス技術により、10円程度と格安。&#...

まずは線幅40ナノメートルおよび28ナノメートルの半導体製造プロセスに対応した製品の生産を開始し、線幅14ナノメートルに対応した製品の生産も予定する。

凸版印刷は4月に回路線幅55ナノメートル(ナノは10億分の1)と、同65ナノメートルの2種類のフォトマスクの生産を開始。... 18年度中に、同14ナノメートルの最先端のフォトマスクの...

回路線幅55ナノメートル(ナノは10億分の1)と、同65ナノメートルの2種類のフォトマスクを4月から生産する。2018年度中に、同14ナノメートルのフォトマスクの生産も始める。 ...

13万のニューロン(神経細胞)とそれらが接合する1億3900万のシナプスを、14ナノメートルのプロセス技術を使ってメニーコアのハードウエア上に再現した。

先端半導体では2018年4―6月期に回路線幅7ナノメートル(ナノは10億分の1)の立体構造トランジスタ(FinFET)を投入する。また米ニューヨークの工場では、18年中...

韓国のサムスン電子は23日、3次元構造のFinFET(フィンフェット)で世界初の10ナノメートル(ナノは10億分の1)プロセス技術を採用したマイクロプロセッサーを開発し...

主に7ナノメートル(ナノは10億分の1)の回路パターン向けで、複雑な描画に対応する。 ... 現在の半導体フォトマスクは、10ナノ―14ナノメートルの回路パターンが多...

ルネサスエレクトロニクスは、現在の28ナノメートル世代(ナノは10億分の1)比で4倍以上の処理性能をもつ16ナノ/14ナノ世代の半導体メモリーセルを開発した。... 開発した...

特に16年は、線幅が14ナノメートル(ナノは10億分の1)、16ナノメートルといった次世代の微細化プロセスが本格的に立ち上がる時期でもある。

企業からは、米インテルが14ナノメートル(ナノは10億分の1)世代のモバイル向け省エネプロセッサーを発表。... 【28ナノ混載用途】 一方、日本勢の中では、業界で初...

回路線幅65ナノメートル(ナノは10億分の1)のプロセスを用いて約2万個のパラメーターの入力が可能。現在の先端プロセスの14ナノメートルで作ると、1600万個のパラメーターに対応できる...