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記事検索結果
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従来、複数回必要だったEUV露光の工程を削減し、コスト低減に寄与する。 ... EUV露光は先端半導体の製造には不可欠。一方、EUV露光装置の運転には大量の電力を使用するなどの課題も...
24年中にはラピダス(東京都千代田区)が北海道のパイロットラインに、日本で初めて極端紫外線(EUV)露光装置を導入。... ASMLが人員強化に動く背景には、日本政府の...
リンテックは次世代極端紫外線(EUV)露光装置用カーボンナノチューブ(CNT)ペリクル(防塵膜)を開発しサンプル提供を始めた。......
次世代極端紫外線(EUV)露光機に対応するレジストを開発し、トップランナーを目指す」 ―石油化学関連は環境負荷低減技術に舵を切る方針です。
住友化学は次世代極端紫外線(EUV)露光装置向けフォトレジストを開発する。... 次世代EUV露光装置は微細な回路パターンを描くため、光の利用効率が高い高NA...
また、速度がDRAMとNANDの中間のメモリーを開発できないか考えている」 ―NANDにおいて、極端紫外線(EUV)露光装置の導入の可能性はありますか。 &#...
フッ化アルゴン(ArF)フォトレジスト用感光性ポリマーの設備を2025年10月、極端紫外線(EUV)フォトレジスト用同ポリマーの設備を25年9月に稼働する予定。ArFフ...
このため回路線幅の超微細化ニーズが高まっており、微細化回路形成用の極端紫外線(EUV)露光技術の採用が本格的に拡大している。 三井化学はEUV露光の環境に対応する高い...
PAGは、先端極端紫外線(EUV)向けの生産受託をさらに拡大。... 先端EUV向けの拡大につなげる。
EUV露光装置を複数導入 米半導体大手マイクロン・テクノロジーが2027年末にも先端DRAMの新工場を稼働することが分かった。26年早々に広島工場(広島県東広島市)の...
線幅数ナノメートル(ナノは10億分の1)世代の最先端半導体の製造に必要な極端紫外線(EUV)露光装置の開発からニコンとキヤノンが事実上撤退し、ASMLのみが供給できるよ...
アムステルダムで開催されたテクノロジーシンポジウムに参加したTSMCのケビン・チャン上級副社長はASMLの高NA(開口数)極端紫外線(EUV)露光装置について、「非常に...
ソーラーCに搭載する太陽が放射する紫外線(UV)と波長の短い極端紫外線(EUV)を測定する装置の開発に携わる。... EUVの観測ができることで、約1万度Cとなる表層部...
その後もフォトマスクブランクス、フッ化アルゴン(ArF)レジスト、多層膜材料、極端紫外線(EUV)レジストなどを手がけた。
資金は前工程では北海道千歳市でのラピダスの生産拠点の建設や、極端紫外線(EUV)露光装置といった設備導入などを進める。
レジストポリマーは25年度めどに極端紫外線(EUV)で微細な露光対応での需要拡大を念頭に、材料も変わるとみて研究開発を積極化する。
大日本印刷(DNP)は27日、極端紫外線(EUV)リソグラフィーに対応した2ナノメートル(ナノは10億分の1)世代のロジック半導体向けフォトマスク...
特にEUV(極端紫外線)などの先端材料が中心になるが、既存のKrfやArfも車載用途で需要が高まっているので積極的に増強していく」 ―石化再編の機運や脱炭素対応の重要...
