一般的なGaNデバイスと比べ静電破壊耐量が約75%高く、製品の高信頼化につながる点などが評価された。GaNデバイスはサーバーや通信基地局の電源用途などで採用が進んでおり、ロームも市場開拓に取り...

最小ゲート入力パルス幅1・25ナノ秒で、GaNデバイスを高速スイッチングできる。... 過電圧入力によるGaNデバイスの故障を防ぐ。ローム製のGaNデバイスと組み合わせて回路を構成することで、回路設計...

これまで数百ボルト級の中耐圧デバイス向け製品が開発された。 ... QST基板を独自改良し、耐電圧1800ボルト以上のパワーデバイスや高周波デバイスに応用できる基板材料を開発。......

豊田合成は窒化ガリウム(GaN)パワー半導体の市場形成に向け、GaNの種結晶(種となる小さな単結晶)の量産試作を始める。... 同社は100キロ―1メガワット...

同社の電源開発技術と、ロームのパワーデバイス開発・製造技術を組み合わせ、2022年度中の開発完了を目指す。 共同開発するGaNデバイスはデルタ電子が同社の電源向けに優先的に...

【京都】ロームは窒化ガリウム(GaN)製パワー半導体の量産体制を整えた。生産子会社のローム浜松(浜松市南区)にGaN専用ラインを導入、15...

2030年までにGaNデバイス市場が約1000億円に上ると試算。... ロームはGaNデバイスで後発。... ローム浜松ではGaNデバイスを最適に制御する周辺ICを製造できる。

発光ダイオード(LED)では、この転位は機能を大きく阻害しないためGaNの発光応用を実現する上で障壁にならなかった。... GaNデバイスを3度の傾斜で削れば、深さ方向は約20倍に拡大...

子会社の富士通ゼネラルエレクトロニクス(岩手県一関市)がGaNデバイスメーカー大手、米トランスフォームの高耐圧性GaN―FETチップを搭載したモジュールを開発した。... サンプル価格...

9月から同技術を生かした同社初となるGaNデバイスのサンプル出荷を始め、2022年の量産を目指す。... GaNデバイスはシリコンデバイスと比べ、スイッチング損失を大幅に低減でき、基地局、データセンタ...

窒化ガリウム(GaN)デバイスと低温同時焼成セラミックス(LTCC)基板を応用することで小型化した。... GaNデバイスを採用することで、従来のシリコン系デバイスより...

日本企業から年1兆円以上の部品を調達しており、電子デバイスメーカーへの影響が懸念される。 ... 住友電気工業は5G対応携帯基地局向けの窒化ガリウム(GaN)デバイス...

住友電気工業は10月にも、高速・大容量、低遅延の第5世代通信(5G)を進化させた携帯電話通信網「5G+」向けに、窒化ガリウム(GaN)デバイスの次世代品を投入す...

住友電気工業は2021年、米国で第5世代通信(5G)向け窒化ガリウム(GaN)デバイスの生産を始める。同社がGaNデバイスを海外生産するのは初めて。... 住友電工は携...

大陽日酸は炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などのパワーデバイス向けに、銅ナノ粒子を用いたシート状の接合材を開発した。... 現在の主流であるケイ素(...

大陽日酸は三塩化ガリウム―アンモニア反応系を用いたトリハライド気相成長法(THVPE法)を活用し、高速、高品質で連続成長が可能な窒化ガリウム(GaN)結晶製造装置を開発...

■アクセスランキング・ベスト10(5/11~5/17) 1位 工作機械7社、4月受注4割減 投資先送り・見直し響く...

イオン注入法は一般的な半導体の製造工程で使われており、GaNデバイスの実用化進展が期待される。 ... 従来手法ではGaNにMgイオンを打ち込んだ後、保護膜をGaNにかぶせて1気圧下...

GaNの結晶成長から評価、デバイス試作までを一気通貫で行う実験拠点「エネルギー変換エレクトロニクス実験施設(C―TEFs)」を開設したのに続き、12月には研究拠点「エネルギー変換エレク...

「既にSiCや横型のGaNデバイスが実用化されつつある中、差別化のために電気を基板に対して縦に流す『縦型GaNパワー半導体』を開発中だ。GaNの電力損失は、Siと比べて10分の1、SiCと比べても2分...