記事検索結果

大阪公立大など、トランジスタの放熱性2倍ダイヤ基板活用（2023/12/14 科学技術・大学２）

大阪公立大学の梁剣波准教授、重川直輝教授らは東北大学などと共同で、ダイヤモンドを基板に用いた窒化ガリウム(GaN)トランジスタを作製した。... その後、シリコン基板から2層を剥離し、...

住友電工、大容量・高速通信GaNトランジスタ開発ポスト5G対応（2022/10/19 総合３）

住友電気工業は18日、第5世代通信(5G)後の大容量・高速通信を可能とする高周波増幅器用の窒化ガリウム(GaN)トランジスタを開発したと発表した。... 開発...

GaN・SiCトランジスタ、過電圧でも電流逃がす産総研が素子破壊を解消（2021/12/14 科学技術・大学）

産業技術総合研究所の中島昭主任研究員と原田信介研究チーム長らは、窒化ガリウム(GaN)と炭化ケイ素(SiC)を組み合わせたトランジスタを開発した。... Si...

材料進化の最前線 NIMS最新成果(38)ウエハー形状、X線解析（2020/4/8 科学技術・大学）

【高品位化に貢献】窒化ガリウム(GaN)トランジスタは、従来のシリコン製のトランジスタに比べて省電力で動作し、かつ高い電圧に耐えられる特性を持つ。... これらの応...

パナソニック、絶縁ゲート型GaNパワートランジスタ 25年めど実用化（2018/2/26 電機・電子部品・情報・通信）

◇大電力の電源機器を高速・小型化パナソニックは、データセンター(DC)や通信基地局などで使う大電力の電源機器を高速に動かせる絶縁ゲート(MIS)型窒...

GaNトランジスタに平坦な結晶層物材機構が発見（2017/10/26 科学技術・大学）

酸化物薄層のおかげでGaN結晶の欠陥が減り、トランジスタ性能が向上するとみられる。今後酸化物薄層を制御する条件を探して最適化し、GaNトランジスタの実用化を目指す。 ... この制御...

豊田合成、業界最高性能のGaN製パワー半導体チップ−電流動作20アンぺア超実証（2016/7/8 電機・電子部品・情報・通信１）

これにより1・5ミリメートル角のサイズで、基板に対して垂直に電流を流す縦型GaNトランジスタで20アンぺア超の電流動作を実証した。 GaNで耐圧1・2キロボルト級の金属酸化膜半導体電...

ニュース拡大鏡/三菱電、設備需要に的−光・高周波デバイス深耕（2015/12/17 電機・電子部品・情報・通信１）

高速・大容量通信の需要は高周波のGaNデバイス事業でも同様に増えている。GaNトランジスタは高電圧で動作して高出力を出せる。... 携帯電話基地局で使う信号増幅器ユニットにGaNを採用すれば、従来のシ...

パナソニック、独インフィニオンにGaNトランジスタ技術を供与（2015/3/12）

パナソニックは独インフィニオンテクノロジーズに、独自の方法で信頼性を高めたノーマリオフ型窒化ガリウム(GaN)トランジスタ構造のライセンスを供与する。... 両社がそれぞれに耐電圧60...

パウデック、GaNパワートランジスタの実用化にめど（2013/10/9）

パウデック(栃木県小山市、河合弘治社長、0285・22・9986)は、低損失・高耐圧を実現する構造を採用した窒化ガリウム(GaN)パワートランジスタの実用化にめどをつけ...

耐圧600ボルトのパワートランジスタで連続安定動作を確認し、実用化にこぎ着けた。... パナソニックは有機金属気相成長(MOCVD)技術により、直径6インチのシリコン基板上にGaNを結...

三菱電機は衛星通信基地局の電力増幅器向けに窒化ガリウム(GaN)を使ったトランジスタ(写真、一目盛りは1ミリメートル)のサンプル出荷を2012年1月10日に始める。.....

パナソニックは7日、耐圧性能を3000ボルトまで高めた窒化ガリウム(GaN)パワートランジスタをシリコン基板上で実現したと発表した。従来、絶縁性基板で製造したGaNトランジスタに比べ、...

パナソニックは22日、ミリ波での長距離無線通信を可能とした窒化ガリウム(GaN)トランジスタを開発したと発表した。... 同トランジスタはシリコン基板上にGaNを成長させて生成。......