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ローム、GaN製150ボルト耐圧HEMT 定格電圧8ボルト実現 (2021/4/8 電機・電子部品・情報・通信1)

【京都】ロームは150ボルト耐圧の窒化ガリウム(GaN)製高電子移動度トランジスタ(HEMT)で、ゲート端子とソース端子間の定格電圧を業界最高レベルの8ボルトに高める技術を開発した。

天野教授らは大電流高電圧に向く高電子移動度トランジスタ(HEMT)の構造で容量を3倍にした。

高速で高い利得を持つインジウムリン製の高電子移動度トランジスタ(HEMT)で増幅器ICを作製した。

住友電工、「5G+」向け次世代GaNデバイス 23年めど量産 (2020/5/20 電機・電子部品・情報・通信1)

GaNデバイスはGaNを使った高電子移動度トランジスタ(HEMT)で、中継器と呼ばれる基地局設備の中で電波を増幅する。

米国で生産に乗り出すのは、GaNを使った高電子移動度トランジスタ(HEMT)で、中継器と呼ばれる基地局設備の中で電波を増幅する役割を果たす。

富士通のHEMT、米学会が「IEEEマイルストーン」認定 (2019/12/19 電機・電子部品・情報・通信1)

米電気電子学会(IEEE)は18日、富士通研究所(川崎市中原区)が開発した高電子移動度トランジスタ(HEMT)を「IEEEマイルストーン」に認定した。... HEMTの発明者である富士通研究所の三村高...

GaN HEMTが破壊されない低温(約650度C)において、GaN HEMTの表面に放熱性の高いダイヤモンド膜を形成する技術を開発し、動作時の発熱量を40%低減することに成功した。これにより冷却装置の...

縦型GaNパワーデバイスと横型GaN系高電子移動度トランジスタ(HEMT)の作製を始めている。

人工衛星における次世代パワーデバイスの適用例としては、GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)が14年5月に打ち上げられた「だいち2号」のSARアンテナの増幅回路に適用されている。

高電子移動度トランジスタ(HEMT)の発明で情報通信技術の発展に貢献した三村氏は「失敗があったからこそ有用な情報に気が付けた」とこれまでの研究について語った。

デバイスは、高効率かつ低消費電力のGaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)を採用。

GaNパワー半導体では、シリコン基板上に横型のGaN系高電子移動度トランジスタ(HEMT)などを形成するデバイスは量産されている。

今回、窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ(HEMT)にインジウム系材料の電子供給層を採用したほか、トランジスタのゲート界面に独自開発の2層窒化シリコン保護膜を導入して電流の密度を1・4倍に向上した。...

窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ(HEMT)パワーデバイスを使って作製した。

力率を改善するPFC(力率改善回路)用とDC/DC(直流/直流)コンバーター用の2種で、電力損失が少ないGaNの高電子移動度トランジスタ(HEMT)の導入を支援する。

窒化ガリウム製の高電子移動度トランジスタ(HEMT)を使った送受信モジュールで、送受信機能を一つのパッケージに集約できるようにして小型化した。

窒化ガリの高電子移動度トランジスタ(HEMT)を用いて、10ギガヘルツ(ギガは10億)帯で出力6・3ワットを実現。... 窒化ガリHEMTは青色発光ダイオード(LED)として信号機に使われる。

三菱電機は25日、14ギガヘルツ帯で100ワットの出力が得られる窒化ガリウム系の高電子移動度トランジスタ(HEMT)増幅器を開発したと発表した。

窒化ガリウム系エピウエハーは、シリコン基板上に窒化ガリウム系の高電子移動度トランジスタ(HEMT)構造を形成し、6インチまでの大口径を可能とした。

三菱電機は衛星搭載用の窒化ガリウム製の高電子移動度トランジスタ(HEMT)を使った増幅器を開発した。

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