ロームの650ボルト耐圧GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)「GNP1150TCA―Z」が、デルタ電子の急速充電タイプACアダプター「C4 Duo」に採用された。

住友電気工業は新しい結晶技術を使い、出力密度を従来比2倍に高めた窒化ガリウム製トランジスタ(HEMT)を開発した。... N極性窒化ガリウムHEMTとして世界最高値である、周波数28ギ...

同社初となるSiP製品、パワーステージICは650ボルト耐圧のGaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)と同HEMTを最適に駆動させる専用ゲート駆動IC、周辺部品を一つのパッケージに同...

電源などを手がける台湾のデルタ電子の関連会社と、650ボルト耐圧のGaN製高電子移動度トランジスタ(HEMT)を共同開発し、量産を始めた。... デルタ電子の関連会社、アンコラセミコン...

三菱電機はLow―Ku(13ギガヘルツ、ギガは10億)帯の周波数で動作する衛星通信地球局向け窒化ガリウム製高電子移動度トランジスタ(GaN HEMT...

スイスのSTマイクロエレクトロニクスは、窒化ガリウム(GaN)製の高電子移動度トランジスタ(HEMT)を搭載した電源機器用集積回路(IC&#...

データセンターなどの電源システム向けに、600ボルト耐圧のGaN製高電子移動度トランジスタ(HEMT)を共同開発する。... ロームは150ボルト耐圧のGaN製HEMTの量産体制を確立...

生産子会社のローム浜松(浜松市南区)にGaN専用ラインを導入、150ボルト耐圧のGaN製高電子移動度トランジスタ(HEMT)を量産する。... ロームが量産するのは、ゲ...

150ボルト耐圧のGaN製高電子移動度トランジスタ(HEMT)などを量産する。... ロームが量産を始めるのは、ゲート・ソース間の定格電圧を業界最高レベルの8ボルトに高め、信頼性を高め...

【京都】ロームは150ボルト耐圧の窒化ガリウム(GaN)製高電子移動度トランジスタ(HEMT)で、ゲート端子とソース端子間の定格電圧を業界最高レベルの8ボルトに高める技...

天野教授らは大電流高電圧に向く高電子移動度トランジスタ(HEMT)の構造で容量を3倍にした。

高速で高い利得を持つインジウムリン製の高電子移動度トランジスタ(HEMT)で増幅器ICを作製した。

この装置を使い、物質・材料研究機構(NIMS)・東北大学・住友電気工業のチームは、高速通信用パワーデバイスとして期待されるGaN―HEMT素子において、出力が低下する原因と考えられてい...

GaNデバイスはGaNを使った高電子移動度トランジスタ(HEMT)で、中継器と呼ばれる基地局設備の中で電波を増幅する。

米国で生産に乗り出すのは、GaNを使った高電子移動度トランジスタ(HEMT)で、中継器と呼ばれる基地局設備の中で電波を増幅する役割を果たす。

米電気電子学会(IEEE)は18日、富士通研究所(川崎市中原区)が開発した高電子移動度トランジスタ(HEMT)を「IEEEマイルストーン」に認定した。....

GaN HEMTが破壊されない低温(約650度C)において、GaN HEMTの表面に放熱性の高いダイヤモンド膜を形成する技術を開発し、動作時の発熱量を40%低減...

三菱電機は2日、産業技術総合研究所と共同で単結晶ダイヤモンド放熱基板を使ったマルチセル構造の窒化ガリウム製の高電子移動度トランジスタ(GaN―HEMT)を世界で初めて開発したと発表した...

縦型GaNパワーデバイスと横型GaN系高電子移動度トランジスタ(HEMT)の作製を始めている。

人工衛星における次世代パワーデバイスの適用例としては、GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)が14年5月に打ち上げられた「だいち2号」のSARアンテナの増幅回路に適用されている。