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【京都】ロームは１５０ボルト耐圧の窒化ガリウム（ＧａＮ）製高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）で、ゲート端子とソース端子間の定格電圧を業界最高レベルの８ボルトに高める技術を開発した。
高速で高い利得を持つインジウムリン製の高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）で増幅器ＩＣを作製した。
ＧａＮデバイスはＧａＮを使った高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）で、中継器と呼ばれる基地局設備の中で電波を増幅する。
米国で生産に乗り出すのは、ＧａＮを使った高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）で、中継器と呼ばれる基地局設備の中で電波を増幅する役割を果たす。
米電気電子学会（ＩＥＥＥ）は１８日、富士通研究所（川崎市中原区）が開発した高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）を「ＩＥＥＥマイルストーン」に認定した。... ＨＥＭＴの発明者である富士通研究所の三村高...
ＧａＮ ＨＥＭＴが破壊されない低温（約６５０度Ｃ）において、ＧａＮ ＨＥＭＴの表面に放熱性の高いダイヤモンド膜を形成する技術を開発し、動作時の発熱量を４０％低減することに成功した。これにより冷却装置の...
人工衛星における次世代パワーデバイスの適用例としては、GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)が14年5月に打ち上げられた「だいち2号」のSARアンテナの増幅回路に適用されている。
高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）の発明で情報通信技術の発展に貢献した三村氏は「失敗があったからこそ有用な情報に気が付けた」とこれまでの研究について語った。
ＧａＮパワー半導体では、シリコン基板上に横型のＧａＮ系高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）などを形成するデバイスは量産されている。
今回、窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）にインジウム系材料の電子供給層を採用したほか、トランジスタのゲート界面に独自開発の２層窒化シリコン保護膜を導入して電流の密度を１・４倍に向上した。...
力率を改善するＰＦＣ（力率改善回路）用とＤＣ／ＤＣ（直流／直流）コンバーター用の２種で、電力損失が少ないＧａＮの高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）の導入を支援する。
窒化ガリウム製の高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）を使った送受信モジュールで、送受信機能を一つのパッケージに集約できるようにして小型化した。
窒化ガリの高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）を用いて、１０ギガヘルツ（ギガは１０億）帯で出力６・３ワットを実現。... 窒化ガリＨＥＭＴは青色発光ダイオード（ＬＥＤ）として信号機に使われる。
三菱電機は２５日、１４ギガヘルツ帯で１００ワットの出力が得られる窒化ガリウム系の高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）増幅器を開発したと発表した。
窒化ガリウム系エピウエハーは、シリコン基板上に窒化ガリウム系の高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）構造を形成し、６インチまでの大口径を可能とした。
