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SiC・GaNに対応 日本エクシード(茨城県常総市、大橋陽介社長)は、各種ウエハーの精密研磨を手がける。... 技術開発に注力し、より厚みに差のないウエハーの平たん化...

ニュース拡大鏡/半導体投資、広がる特需 設備・産ガス活況 (2024/7/25 電機・電子部品・情報・通信1)

特に今後は炭化ケイ素(SiC)が伸びると見て、需要に合わせ設備増強も検討する。

電気自動車(EV)を中心に炭化ケイ素(SiC)パワー半導体が採用され始めているのを背景に、耐熱性が高いSiCに対応した技術を開発し、パワー半導体向けシンタリング(...

一方、炭化ケイ素(SiC)パワー半導体で40%のシェアを誇るスイスSTマイクロエレクトロニクスは、産業機器向けに電源・モーターの効率化を提案した。... SiC金属酸化膜半導体...

東海カーボン、多結晶SiCを柱に 仏社と連携 (2024/7/23 素材・建設・環境・エネルギー2)

戦略提携した仏ソイテックに供給し、同社で単結晶SiCウエハーと貼り合わせて「貼り合わせSiCウエハー」にする。... (山岸渉) 「貼り合わせSiCウエハーは、パワー...

共立精機、脆性材加工機を開発 スマホレンズ金型用 (2024/7/19 機械・ロボット・航空機)

スマホのカメラレンズを射出成形する金型は、超硬合金や炭化ケイ素(SiC)といった難削材を多く使用する。

ローム、26年めど新棟 SiCウエハー生産3倍 (2024/7/18 電機・電子部品・情報・通信2)

【京都】ロームは独子会社のSiCrystal(サイクリスタル)で炭化ケイ素(SiC)ウエハーの生産能力を増強する。... これによりサイクリスタルの...

SiC供給増、シェア拡大 ―2024年の事業環境は。 ... 今後の市場拡大が見込まれるSiCの供給力を強化する」 ―SiCパワー半導体では日本企...

旭化成、窒化アルミ単結晶基板をサンプル提供 使用可能面積99%以上 (2024/6/20 素材・建設・環境・エネルギー1)

AlNは炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)に比べて電力損失が少ないなどの特徴があり、パワー半導体向けなどでの需要を想定する。

近年、消費電力の削減などを目的に、鉄道車両に炭化ケイ素(SiC)系パワー半導体を使用したVVVFインバーターの採用が進んでいる。絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT&#...

中小機構関東、8―9月にマネジメント人材育成研修 (2024/6/18 中小・ベンチャー・中小政策)

中小企業基盤整備機構関東本部は8月20、21の両日と9月10日に、さがみはら産業創造センター(SIC、相模原市緑区)と連携し、経営幹部や経営幹部候補者を対象にした研修「事業の中核を担う...

SiCウエハー連続面取り Mipoxが研磨装置開発、8インチ化に貢献 (2024/6/12 電機・電子部品・情報・通信2)

SiCの加工に耐える専用研磨フィルムを開発した。... 開発した研磨装置をウエハーメーカーやデバイスメーカーに販売し、SiCウエハーの8インチ化を支援する。... SiCは高電圧、高温に強く、パワー半...

三菱電、低電流領域向けSiC半導体モジュール (2024/6/11 電機・電子部品・情報・通信1)

同社の従来製品と比較して、SiCパワー半導体モジュールで約54%減、シリコンパワー半導体モジュールで約91%減と効率化した。 同社はSiCパワー半導体への投資を進める...

SiCパワーモジュール事業で2027年度に売上高600億円以上を目指す。 ... SiC金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)二つを1セットにしたモジュ...

独社の強みは、シリコン製の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)と、炭化ケイ素(SiC)製の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)...

キラ・コーポ、脆性材加工機に40番主軸 半導体向け深耕 (2024/6/6 機械・ロボット・航空機1)

パワー半導体の原料で、加工が難しい炭化ケイ素(SiC)の利用増加が見込まれる中、剛性と汎用性がより高い機種のニーズが伸びると見て、40番機の投入に踏み切る。

東洋炭素、等方性黒鉛で攻勢 半導体向け高水準の投資 (2024/6/5 素材・建設・環境・エネルギー2)

これら製品はパワー半導体に使われる炭化ケイ素(SiC)半導体の製造用で強い需要があり、市場が拡大している。 ... 24年後半ごろには、東洋炭素生産技術センター...

また、熊本県菊池市に建設中の炭化ケイ素(SiC)パワー半導体の工場新棟の竣工を前倒しし、25年9月にすることも発表した。

8インチ以上の達成で炭化ケイ素(SiC)パワー半導体とも戦えるコストを実現できるとしている。

24年2月に炭化ケイ素(SiC)半導体を採用した1500ボルトの高電圧設計を施し、省スペース化や屋外使用を実現した新型パワーコンディショナーを開発。

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