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記事検索結果
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GaNパワー半導体はスイッチング速度の速さが強み。... SiMOSFETを使わず、GaN単体で高速スイッチングを実現し小型化する。 ... ノーマリーオフ型GaNデバイスを搭載する...
既存のシリコン向けの300ミリメートルパイロットラインを、GaN向けに転用して実施。シリコンウエハー上に均質なGaN層をエピタキシャル成長させて実現した。今後、需要に応じてGaNの製造能力拡充も検討す...
半導体材料として要求される物性値は、シリコン(Si)のみならず炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)をも上回り、しばしば究極の半導体と称される。
高品質な厚膜GaNエピタキシャル成長を実現する。... これを解決するGaN対応の基板は、従来のシリコン(Si)と同じ生産ラインを使えるため、コスト低減効果も期待できる。... QST...
SiC・GaNに対応 日本エクシード(茨城県常総市、大橋陽介社長)は、各種ウエハーの精密研磨を手がける。... 技術開発に注力し、より厚みに差のないウエハーの平たん化...
会場ではSiC・GaNモジュールやSMT32マイコンなど、電力変換から、蓄電、充電、利用まで再生エネ活用をワンストップで実現する幅広い製品群を紹介した。 ...
AlNは炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)に比べて電力損失が少ないなどの特徴があり、パワー半導体向けなどでの需要を想定する。
三菱電機は4日、第5世代通信(5G)向けに多数のアンテナ素子を用いる「massive MIMO(マッシブマイモ)」基地局用の窒化ガリウム&#...
高品質で大口径のGaN基板を安定して製造できる体制を確立する。... 同社と大阪大学は、ナトリウムとガリウムを混合した金属溶液に高圧で窒素を注入しGaNを合成する「Naフラックス法」を活用し、大型Ga...
名古屋大学のダシヤン・アルン・クマール特任講師と石川健治教授、堀勝特任教授らは、窒化ガリウム(GaN)の低温成長法を開発した。... 基板上でガリウムなどの有機金属と反応し、GaNの結...
寄贈したのは、次世代半導体の窒化ガリウム(GaN)を採用することで小型・軽量化したACアダプター「BSACPD4500BK」。
名城大学の竹内哲也教授らは、窒化ガリウム(GaN)面発光レーザーの電力変換効率を20%に向上させた。光の共振が起きるGaN層を、成長させながら厚みを計る手法...
半導体材料としてフォトレジスト用ポリマーや窒化ガリウム(GaN)基板などに加え、半導体製造装置の精密洗浄サービスなどを展開する。 ... また、G...
半導体材料については、窒化ガリウム(GaN)基板はレーザー向け2インチウエハーを拡販し25年に現状比4―5割増の出荷を目指す。
一般的なGaNデバイスと比べ静電破壊耐量が約75%高く、製品の高信頼化につながる点などが評価された。GaNデバイスはサーバーや通信基地局の電源用途などで採用が進んでおり、ロームも市場開拓に取り...
同ウエハーは、長らく次世代パワー半導体と言われ、普及期に差し掛かっている炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)を使ったウエハーの“次”を担う候補の一つ。
IoT(モノのインターネット)技術を活用した工場のオペレーションシステムを手がける米ロシックスや、窒化ガリウム(GaN)パワー半導体の開発を手がける台湾アンコラ・セミコ...
大阪大学の山内和人教授らが考案した触媒基準エッチング(CARE)法により、炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)の基板を原子レベルで平坦化する装置...
