ヌヴォトンテクノロジージャパンの水素センサーは、自社の抵抗変化型の不揮発メモリー(ReRAM)技術を応用して開発。

この相転移は抵抗変化型メモリー(ReRAM)開発の端緒となった。

【性能・コスト凌駕】 SCMの候補としては、従来のReRAM(抵抗変化メモリー)、PRAM(相変化メモリー)や、MRAM(磁気抵抗メモリー&#...

低消費電力で高速応答性を持つ次世代不揮発メモリーとして「抵抗変化型不揮発メモリー(ReRAM)」が研究されている。だがタンタル酸化物などの遷移金属酸化物ではメモリー動作時に化学変化が起...

しかしMRAMやReRAMといった次世代半導体の多くの研究開発機能は、メモリー新会社が手がける。

パナソニックは1日、台湾・聯華電子(UMC)と次世代抵抗変化型メモリー(ReRAM)量産プロセスの共同開発で合意したと発表した。... ReRAMは同じ不揮発性メモリー...

産業技術総合研究所は筑波大学と共同で、不揮発性メモリーの一種である抵抗変化メモリー(ReRAM)の挙動を電流ノイズから解明することに成功した。... 今回、低消費電力動作と、従来の動作...

3D構造NAND型フラッシュメモリーや、ReRAM(抵抗変化式メモリー)のような新型メモリーの開発などを視野に入れる。

神戸大学は低電圧の環境発電技術(エナジーハーベスティング)、中央大学はIoT向け抵抗変化メモリー(ReRAM)のコンバーターをそれぞれ発表する。

【28ナノ混載用途】 一方、日本勢の中では、業界で初めて抵抗変化型メモリー(ReRAM)を量産したパナソニックが、ベルギーの研究機関「imec」と共同で、28ナノメー...

2015―16年のReRAMを用いたSSDの実用化にめどをつけた。 開発したシステムは、大きく変化するReRAMの抵抗値を回路的に補正する技術。ReRAMとフラッシュメモリーを制御す...

パナソニックは30日、8月中旬からReRAM(抵抗変化型メモリー)を内蔵したマイコン「ReRAMマイコン」を世界で初めて量産すると発表した。ReRAMは消費電力が小さく、書き換えが速い...

来年から16ナノメートル前後のプロセスの量産を開始、その後に“ポストNAND”と呼ばれるReRAM(抵抗変化式メモリー)の生産に移行する計画だ。 ... ReRAMは...

従来の希少元素を使うReRAMに比べコストも安くなり、メモリー容量の小さいセンサー向けに1年程度をめどに実用化を目指す。 ReRAMは消費電力が小さく、電源を切っても記憶内容が消えな...

量産を検討するのは3次元NAND型フラッシュメモリーと、ReRAM(抵抗変化型メモリー)の2種類。... ReRAMは、NANDに比べて書き換え回数が多いのが特徴。... サムスンも3...

「3DのReRAM(抵抗変化型メモリー)は研究開発が順調に進んでいる。

開発したSSDは、NAND型フラッシュメモリーを多層に重ね、その上にReRAMやDRAMなどを積層した構造をしている。書き換えが多くて、サイズの小さいデータはReRAMに書き込み、フラッシュメモリーへ...

2月に経営破綻したエルピーダメモリもシャープとDRAMの1000倍近い速度で情報を読み書きできる「ReRAM(抵抗変化型メモリー)」と呼ばれる次世代メモリーの実用化を目指していた。

パナソニックは2013年1―3月期に抵抗変化型メモリー(ReRAM)内蔵マイコンの量産に乗り出す。... ReRAMは消費電力が小さく、書き換えが速い次世代メモリーとして有力視されてお...

こうした議論を意識してか、24日にエルピーダはDRAMの後継と位置づける次世代メモリー「ReRAM」の技術説明会を開いた。