(SiC基板を供給する)米コヒレントの事業などへの出資も含め、今後のSiC事業の拡大を積極的に進める」―。... 半導体素子として、シリコンの逆導通型絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ...

シリコンより電力損失の低い炭化ケイ素(SiC)の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を搭載した製品も用意した。

SiC半導体の主導権をめぐる競争が激化する市場で、ロームが強みとする一つが、SiCウエハーの製造技術だ。同社は10年に、世界で初めてSiC金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET&#...

「我々は低耐圧の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)で世界上位のシェアだが、電動化や電装化の影響でMOSFET全体の需要が10年で1・6倍になるとされる。我々の半導体は...

三菱電機は13日、オランダの半導体企業であるネクスペリアと、炭化ケイ素(SiC)パワー半導体の共同開発に向け、戦略的パートナーシップに合意したと発表した。三菱電機は同社の強みである化合...

この基盤となるSiCの高品質な結晶の製造方法を確立したのが松波特任教授だ。... シリコンの上にSiCを作る方法、SiCがパワー半導体と結びつく技術を約20年かけて構築し、日本の半導体企業も注目した。...

SiCウエハー製造では、昇華法が主流となっている。昇華法とは、不活性ガスを充填させた炉内でSiC原料を高温で昇華させ、上部のSiC種結晶に成長させる方法である。... ただ、ロームが10年に世界初のS...

三菱電機は8日、ショットキーバリアーダイオード(SBD)内蔵の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を採用した耐電圧3・3キロボルトの...

【京都】ロームは自社の炭化ケイ素(SiC)パワー半導体が、米国の航空機部品大手ハイコ・コーポレーションのグループ会社が手がける産業機器向けパワーモジュール製品に採用...

国内のSiC半導体メーカーは競合が増えるのを避けるためチップ販売はほとんどしていない。... 中国製のSiCチップは3社から調達する。... ショットキーバリアダイオード(SBD)と金...

25年度後半に量産を始める「TED―MOS」は、日立の独自構造を持つ金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)。SiCパワーデバイスの課題とされる耐久性と低消費電力特性を向上...

【京都】ロームは同社の炭化ケイ素(SiC)パワー半導体が、独半導体メーカーのセミクロンが手がける次世代電気自動車(EV)向けパワーモジュールに採用さ...

24年度にもSiC半導体の供給は3―4車種に拡大する見通しで、青森県の工場にもSiC半導体の生産ラインを新設し、量産を始める。... SiC半導体はインバーターなどの電力変換用に使われる。... Si...

独インフィニオン・テクノロジーズは、1200ボルト耐圧の炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)「Cool...

SiC半導体は約800度Cまで正常に動作するが、ICで一般的な金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)では酸化膜とSiCの接合界面に多くの欠陥が存在するという特性から高温下...

ロームは8インチ炭化ケイ素(SiC)ウエハーで金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を開発する。... ウエハー技術開発ではセントラル硝子や昭和電工が高品...

シリコン系ではスプリットゲートという特性の高いMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)や、FS―IGBT(フィールドストップ型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ...

東芝は、次世代の炭化ケイ素(SiC)パワー半導体を制御するドライバーICのワンチップ化に世界で初めて成功した。... 1・2キロボルトのSiC―金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ&#...

EVなど活用期待 京都大学大学院工学研究科の木本恒暢教授らは、炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET...

昭和電工のSiCエピウエハーの特性均一性や低欠陥密度などの特徴と安定供給体制が評価された。... 東芝D&Sは、鉄道車両向けインバーターをはじめ多様なSiCパワーデバイスを事業化している。これ...