最新の高速化技術で性能を高める高周波650V耐圧IGBTを発表

STマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM、以下ST）は、最新のトレンチ・フィールド・ストップ（TFS）技術を活用し、PFCコンバータ、溶接機、無停電電源装置（UPS）、太陽光発電システム用インバータなど、中・高速アプリケーションの効率と性能を向上させる650V耐圧IGBTのHB2シリーズを発表しました。同シリーズには、AEC-Q101 Rev. D規格に準拠した車載用製品も含まれています。

STPOWER(TM)ポートフォリオに新たに加わったHB2シリーズは、低VCEsat（1.55V）による優れた導通性能を備えています。同時に、ゲート電荷を低減することで、動特性が向上しているため、低ゲート電流での高速スイッチングが可能です。優れた熱性能が、信頼性と出力密度の最大化に役立つ一方、高い競争力も実現しています。

HB2シリーズは、全定格ダイオードまたは半定格ダイオード、もしくは保護ダイオードを同一パッケージに逆並列に内蔵することにより、IGBT部への偶発的な逆バイアスを防ぐことができるため、アプリケーションの要求に応じて特性を柔軟に最適化することができます。

この新しい650V耐圧IGBTの最初の製品となるSTGWA40HP65FB2（定格40A）は、現在入手可能で、TO-247パッケージ（ロングリード）で提供されます。単価は、1000個購入時に約2.95ドルです。

詳細については、ウェブサイトをご覧ください。
（ https://www.st.com/ja/power-transistors/650v-hb2-series-high-speed-16-to-60-khz.html?icmp=tt11262_gl_pron_apr2019 ）

STマイクロエレクトロニクスについて
STは、私たちの暮らしに欠かすことのできないエレクトロニクス機器に、優れた性能と高い電力効率を特徴とした半導体を提供する世界的な総合半導体メーカーです。あらゆるシーンで活躍するSTの製品は、お客様が開発する次世代モバイルやIoT機器の他、よりスマートな自動車、工場、都市および住宅を可能にします。STは、生活をより豊かにする技術革新を通じ、「life.augmented」の実現に取り組んでいます。STは、10万社を超えるお客様に半導体を提供しており、2018年の売上は96.6億ドルでした。さらに詳しい情報はSTのウェブサイト（ http://www.st.com ）をご覧ください。

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情報提供元：PRTIMES
本リリースの掲載元：https://prtimes.jp/main/html/rd/p/000000965.000001337.html