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記事検索結果
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プラズマがチャンバー室壁に接触しない独自構造により、半導体品質の単結晶高純度ダイヤモンドの合成実験ができる。
単結晶ダイヤ基板に関する両社の技術を融合し、基板の大口径化と高品質化、量産技術の確立を目指す。... オーブレーはコスト効率の高いサファイア基板上に単結晶ダイヤを成長させる「ヘテロエピタキシャル」と呼...
多結晶材料であるため、セラミックス材料の製造プロセスを利用できる。... AI製の材料は結晶粒界の間隔分布が二つの群に分かれていた。
無機結晶材料の原子構造のようにデータを一つずらしても同じ構造となるデータを並列計算できる。
等方性黒鉛に高純度化や化学処理などを施した製品は、半導体ウエハーの結晶成長に用いる炉内部材や、ウエハーに薄膜を作るエピタキシャル装置内でウエハーを載せる「サセプター」と呼ばれる部材などに利用される。
コンクリーション化剤によるCaCO3結晶形成後も地下水中のイオンとの反応で結晶が持続的に成長し、理論的には半永久的に効果が維持される。
テルビウム銅7型の結晶構造を持つサマリウム鉄化合物を開発した。... スパッタで単結晶薄膜を作製すると、サマリウムと鉄、窒素が1対8・8対1・1の磁石化合物の特性が優れていた。 .....
径数十ナノメートル(ナノは10億分の1)の微細なダイヤモンド粒子を、結合材なしに強固に直接結合したナノ多結晶ダイヤを刃先に適用した。
電解液はポンプにより槽内を循環し続ける構造のため、負極周辺に結晶が生じて短絡(ショート)を引き起こす蓄電池の問題が生じにくい。
新たな育成炉は一度に複数枚の結晶の育成が可能。... 具体的には、Naフラックス法で製造した種結晶の上にGaN結晶を厚く成長させ、それをスライスして複数枚の基板を生産する。一部は種結晶としても再利用で...
基板上でガリウムなどの有機金属と反応し、GaNの結晶が成長する。... 結晶の成長速度は1時間当たり3・3マイクロ―4・5マイクロメートル(マイクロは100万分の1)と従来法に匹敵する...
【名古屋】ワルタージャパン(名古屋市中村区、チェティン・セルカン社長)は、多結晶ダイヤモンド(PCD)工具を中心に、アルミニウムなどの軽金属加工に適...
私たちはこれまでに、重金属を含む廃棄物や東京電力福島第一原子力発電所の汚染水の処理に伴い発生している廃棄物などを対象として、元素の溶出特性や長期的な結晶相の変質に関する研究を実施。
シリコンウエハーの場合、イオン注入後に熱処理を行うことで、結晶性を回復する。 一方、SiCでは、イオン注入後の熱処理でも結晶性を回復するのが難しい。
安藤研究所(東京都渋谷区、安藤明博理事長)は、エレクトロニクス分野の若手研究者を対象とした「第37回安藤博記念学術奨励賞」に、江部日南子山形大学助教の「電荷移動錯体―ハロゲン化鉛ペロブ...
応答特性は必ずしも結晶粒に対応しておらず、基板と薄膜の界面などの複合的な要因で応答特性が決まることが明確になった。
この手法では、結晶構造の情報のみから物質のさまざまな特性を比較的高い精度で予測できる。... この物質は温度変化とともに結晶構造が3回変化し、構造変化が起こる温度付近で誘電率(電荷を蓄える能力...
CNTを束ねたCNT紡績糸を通電加熱処理により高結晶化し、効率的に半導体材料中の自由電子の数を増加させるn型ドーピングの手法を開発した。 高結晶化と最適なドーピング処理を組み合わせる...
