三菱電機は4日、第5世代通信(5G)向けに多数のアンテナ素子を用いる「massive MIMO(マッシブマイモ)」基地局用の窒化ガリウム&#...

高品質で大口径のGaN基板を安定して製造できる体制を確立する。... 同社と大阪大学は、ナトリウムとガリウムを混合した金属溶液に高圧で窒素を注入しGaNを合成する「Naフラックス法」を活用し、大型Ga...

名古屋大学のダシヤン・アルン・クマール特任講師と石川健治教授、堀勝特任教授らは、窒化ガリウム(GaN)の低温成長法を開発した。... 基板上でガリウムなどの有機金属と反応し、GaNの結...

寄贈したのは、次世代半導体の窒化ガリウム(GaN)を採用することで小型・軽量化したACアダプター「BSACPD4500BK」。

名城大学の竹内哲也教授らは、窒化ガリウム(GaN)面発光レーザーの電力変換効率を20%に向上させた。光の共振が起きるGaN層を、成長させながら厚みを計る手法...

半導体材料としてフォトレジスト用ポリマーや窒化ガリウム(GaN)基板などに加え、半導体製造装置の精密洗浄サービスなどを展開する。 ... また、G...

半導体材料については、窒化ガリウム(GaN)基板はレーザー向け2インチウエハーを拡販し25年に現状比4―5割増の出荷を目指す。

一般的なGaNデバイスと比べ静電破壊耐量が約75%高く、製品の高信頼化につながる点などが評価された。GaNデバイスはサーバーや通信基地局の電源用途などで採用が進んでおり、ロームも市場開拓に取り...

同ウエハーは、長らく次世代パワー半導体と言われ、普及期に差し掛かっている炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)を使ったウエハーの“次”を担う候補の一つ。

IoT(モノのインターネット)技術を活用した工場のオペレーションシステムを手がける米ロシックスや、窒化ガリウム(GaN)パワー半導体の開発を手がける台湾アンコラ・セミコ...

大阪大学の山内和人教授らが考案した触媒基準エッチング(CARE)法により、炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)の基板を原子レベルで平坦化する装置...

スマートエナジー研究所(横浜市港北区、中村創一郎社長)は、窒化ガリウム(GaN)と炭化ケイ素(SiC)のパワー半導体に対応した回路シミュレーターを開発し...

その優れた半導体性能は、パワーデバイスとしての利用が広がる炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)をも凌駕(りょうが)するほどだ。 ...

CFBでは次世代パワー半導体材料の窒化ガリウム(GaN)を低コストで製造し、半導体デバイス市場への参入を目指す。

窒化ガリウム(GaN)のターゲット材も市場投入した。

約500人の計15万枚の脳画像データを活用し、画像生成AIモデル「敵対的生成ネットワーク(GAN)」を基に脳画像生成AIを開発した。

ルネサスエレクトロニクスは11日、次世代半導体である窒化ガリウム(GaN)を用いたパワー半導体を設計・製造する米トランスフォームを約3億3900万ドル(約4...

炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)が次世代のパワー半導体の材料として注目されている中、β―Ga2O3はSiCやGaNと比べ、高性能なパワー半導体を製造できる可...

GaN基板 電子機器の効率・小型化に貢献 24年は半導体の窒化ガリウム(GaN)基板の普及に弾みが付きそうだ...

14年は、生成AIに関連するディープラーニング技術である敵対的生成ネットワーク(GAN)が発表された年である。GANはカナダのモントリオール大学の学生イアン・グッドフェロー氏らによって...