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記事検索結果
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一方、AIは電気の流れを制御する部品(トランジスタ)の数が増えることで、さまざまな形で連動して動き、データがその上で走ることで脳細胞に近い働きをする。AIに搭載するトランジスタの数が圧...
現在のシリコントランジスタは平面に敷き詰めるが、ナノワイヤは垂直方向に立てることで1本1本が柱状のトランジスタとして働く。「シリコントランジスタが直面する微細化による性能向上の限界などがなく、集積度を...
経済産業省は集積回路などの画像取得に使う走査型電子顕微鏡(SEM)やトランジスタ技術など、計4品目を新たに輸出管理対象に加える。... このほか対象に加えるのは、立体構造を持つGAA&...
特にシリコントランジスタでは、微細化が進むにつれて、この接触抵抗が顕著になる。 ... この材料は、1ナノメートル(ナノは10億分の1)以下の極限的な薄さにおいて、シ...
トランジスタの数が増えてさまざまな形で連動して動き、データがその上で走ることで、AIが脳細胞に近い働きをする。
将来的には1万1546個のトランジスタを4個に減らし4ケタ削減するポテンシャルがある。 ... トランジスタ数はXoshiroの45%、消費電力は49%に抑えられる。...
高いキャリア移動度のp型、n型有機半導体の薄膜単結晶と導電性カーボン、プロセス耐性と絶縁性を持つ高分子材料とを組み合わせ、有機トランジスタによる回路を作製した。
アモルファス酸化物半導体トランジスタ(IGZO―TFT)の用途を薄型ディスプレーからメモリーに広げる。ディスプレーではトランジスタのサイズは数十マイクロメートル(マイクロは10...
さらに、量子基底状態にまで冷却できると、MEMS共振器の振動量子は、単一電子トランジスタの電荷量子と結合した「ハイブリッド量子システム」になる。... CNT分子接合を用いてチャネル長が最短の2・8ナ...
ロームの650ボルト耐圧GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)「GNP1150TCA―Z」が、デルタ電子の急速充電タイプACアダプター「C4 Duo」に採用された。... ...
半導体素子として、シリコンの逆導通型絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(RC―IGBT)のほか、SiCの金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を採用してい...
セラミックスの代替として、IGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)などへの採用が見込める。
さらにグラフェンのトランジスタを作製し、UVテープの転写膜により高い移動度が得られることも確認した。
その中で、点火プラグ内でのショート(短絡)、信号の増幅を行うトランジスタへの定格以上の電圧印加、推進系制御装置での部品の故障の三つのシナリオが浮かび上がった。
