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【京都】ロームは順方向電圧1・35ボルトと従来品比1割低減した炭化ケイ素(SiC)製ショットキーバリアダイオード(SBD、写真)を完成した。

ロームは車載も可能な超低逆電流ショットキーバリアダイオード(SBD=写真、一目盛りは1ミリメートル)を完成した。

【さいたま】ベルニクス(さいたま市南区、鈴木正太郎社長、048・864・7733)は、ショットキーバリアダイオードに比べて電力損失が最大約10分の1に抑えられる整流モジュール「BIDシ...

新電元工業は同社従来品に比べ順電圧とリーク(漏れ)電流のトレードオフを15%改善したショットキーバリアダイオードを開発、発売した。

トレンチ金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)モジュール(写真左)4個と、ショットキーバリアダイオード(SBD)モジュール(同右&...

新電元工業は炭化ケイ素(SiC)を用いたショットキーバリアダイオードの一貫生産体制を完成した。... 新電元は外部調達したチップを組み立て、06年から耐圧600ボルトのショットキーバリ...

【京都】ロームは10日、炭化ケイ素(SiC)製のパワー半導体とショットキーバリアダイオード(SiC―SBD)「SCS110Aシリーズ」の量産を4月下旬に始めたと発表した...

新電元工業が開発したのは、薄膜系モジュール向け一般整流ダイオードと、結晶系モジュール向けのショットキーバリアダイオード2機種。

新日本無線は16日、基板に炭化ケイ素(SiC)を用いたショットキーバリアダイオード(以下SBD)を低コストで生産する技術を確立したと発表した。

同社は電界効果トランジスタ(FET)、ショットキーバリアダイオード(SBD)を試作、2012年の商品化を目指している。

このパッケージを用いたショットキーバリアダイオード(SBD)のサンプル出荷を始めた。

サンケン電気は3日、窒化ガリウム結晶をシリコン基板上に成長させる技術などを使い、大幅な低損失化や高耐圧化を実現した電界効果トランジスタ(FET、写真左)とショットキーバリアダイオード&...

【厚木】日本インターは従来型に比べ使用時における逆電流の発生量を10分の1以下に抑えた高性能ダイオード「ショットキーバリアダイオード(SBD)Gシリーズ」を6月に発売する。

サンケン電気は温度検知用のショットキーバリアダイオード(SBD)を内蔵した高速整流ダイオード(FRD)「FMKSシリーズ」3機種を発売した。

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